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第四章 CMOS电路与逻辑设计 MOS晶体管 MOS的物理结构 CMOS版图与设计规则 基本CMOS逻辑门 基本门版图设计 其他CMOS逻辑结构 4.1 MOS的物理结构 IC制造材料 MOS的物理结构 串联nMOS管硅片图形 并联MOS管图形 1. IC制造材料 IC制造材料—硅 IC制造材料 IC制造材料 2. MOS的物理结构 金属层 nFET结构 pFET结构 选择区与有源区 金属层与过孔 金属层1与接触区 金属层1与多晶接触 3. CMOS中的闩锁（Latch up）现象 Latch up Latch up 4. 串联nMOS管硅片图形 5. 并联MOS管图形 4.2 CMOS版图与设计规则 版图与设计规则 版图与设计规则 λ设计规则 λ设计规则 1. 最小宽度(minWidth) 最小宽度 2. 最小间距(minSep) 最小间距 3. 最小交叠(minOverlap) 最小交叠 4.4 单位晶体管设计 最小尺寸晶体管 单位晶体管的串联 单位晶体管的并联 4.4 基本CMOS逻辑门 1.CMOS反相器（Inverter） CMOS与非门（NAND gate） CMOS或非门（ NOR gate ） CMOS复合门（AOI/OAI gates） AOI = and/or/invert; OAI = or/and/invert. Imple