局部背接触结构单晶Si太阳电池研究3.PDFVIP

局部背接触结构单晶Si太阳电池研究3.PDF

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光 电 子 ·激 光 第 18 卷 第 2 期  2007 年 2 月       Vol . 18 No . 2  Feb . 2007 J our n al o f Op t oelect r onics ·L aser         局部背接触结构单晶Si 太阳电池的研究 励旭东 , 何少琪 (北京市太阳能研究所 ,北京 100083) 摘要 :报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用 , ( 设计了合理的电池结构。通过工艺优化 ,得到了转换效率达到 17. 28 % 大气质量 A M = 1. 5 G , VOC = 650. 4 2 2 ) mV ,J SC = 33. 15 mA/ cm , FF = 0. 8014 , 电池面积为4 cm 的太阳电池 。 关键词 :激光刻槽埋栅太阳电池; 局部背接触结构 ( ) 中图分类号: TM914 . 4   文献标识码 :A   文章编号 2007 Buried Contact Solar Cells with Localized Rear Contacts L I Xudong , HE Shaoqi (Beijing Solar Energy Research Institute ,Beijing 100083 ,China) ( ) Abstract :The research result s about the single crystalline silicon buried contact solar cells BCSC with localized rear con tact s are reported in this paper . On the basis of simulation and calculation ,proper cell structure was designed. With t he opti ( 2 ) mized processes ,the conver sion efficiency of 17. 28 % VOC = 650 .4 mV ,J SC = 33 . 15 mA/ cm , FF = 0. 8014 , A M = 1. 5 G 2 has been achieved on 4 cm solar cell . Key words :lasergrooved buriedcontact solar cells ; localzied rear contact s structure 1  引 言   在少数载流子寿

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