第三章MC9S12单片机的内核和片上资源.pptVIP

§3-7 MC9S12单片机最小系统硬件设计——以MC9S12DG128为例 供电电路主要是由单片机提供+5V电源和电源滤波 时钟电路给单片机提供一个外接的16MHz的石英晶振 BDM口让用户可以通过BDM调试工具向单片机下载和调试程序 复位电路是通过一个复位按键给单片机一个复位信号，调试过程中很有用 。 时钟电路 EXTAL XTAL PE7悬空，采用串联振荡 VDDPLL VSSPLL XFC PK7 LED调试小灯 PE6 PE5接地单片模式 AD模块 VDDA VSSA VRH VRL VERGEN接高电平，电压调整器供电 BDM VDD1 2 VSS1 2 接去耦电容 VDDX VSSX I/O引脚供电，接5V电压及去耦电容 VDDR VSSR 电压调整器供电，接5V 谢谢！ * * 用于给单片机内部提供合适的电源电压,9S12单片机内核使用2.5V供电.VDD1\2,VSS1\3,VDDPLL若使用电压调整模块,这些引脚只用接去耦电容.注意VDD1.2的箭头是向外出的. * * PORTE比较特殊，其中PE5、PE6不可以作为普通I/O口用，一般用于模式选择，模式选择表见下页。PE0和PE1只能作为输入。TEST为工厂测试脚，保留。ECLK总线时钟输出频率为振荡器的一般。NOACC：表示当前CPU并未使用总线，在BDM调试时使用。XCLKS表示：1-使用pierce oscillator，0-使用colpitts oscillator ，内部有上拉电阻，所以悬空默认为1，只在RESET上升沿锁存。LSTRB：在外部使用2片8位宽度存储器时和ADDR0，R/W配合使用。可转到9页图。 * LSTRB低有效，ADDR0=1，这时访问8位奇地址。LSTRB和ADDR0分别接两片8位宽度存储器的片选信号。在扩展窄模式下：ADDR15..0接存储器ADDR15..0，PORTA为8位数据总线，得到16位数据必须两次操作；在扩展宽模式下：ADDR15..1接存储器ADDR14..0，PORTA:PORTB为16位数据 * XADDR在11页讲 * * * * * * * A、B：CPU12有两个8位累加器，累加器A和累加器B，用来保存操作数和操作结果。可以把两个8位寄存器合起来看成一个16位的寄存器D。若D寄存器中有一个16位的数，高8位在A寄存器中，低8位在B寄存器中。 X，Y：主要用于寻址操作，也用于临时存放数据和参与运算，只能按16位方式访问。在寻址模式中，寻址寄存器的内容加5位、9位或16位偏移量构成有效地址，或者寻址寄存器的内容加累加器中内容构成有效地址。X、Y内容不受复位影响。由于CPU12的通用数据寄存器比较少，因此在乘法运算中需要X参与，在除法运算中需要X、Y同时参与。 * S： STOP指令禁止位，该位置1将禁止CPU执行STOP指令。 X： XIRQ非屏蔽中断屏蔽位，该位置1将屏蔽XIRQ引脚的中断请求，复位默认为1。 H： 辅助进位，该位为累加器A的bit3向bit4进位，仅用于BCD操作。 I： 可屏蔽中断屏蔽位，该位置1将屏蔽所有的可屏蔽中断源，复位默认为1。 N： 符号位，当运算结果为负时，该位置1。N位实际上是运算结果最高位的拷贝。 Z： 0标志，当运算结果为0时，该位置1。 V： 2补码运算溢出标志，当运算结果出现2补码溢出时，该位置1。 C： 进位/借位标志，当加法运算产生进位或者减法运算产生借位时，该位置1。移位操作或者直接针对C的指令也改变C的值。 * S： STOP指令禁止位，该位置1将禁止CPU执行STOP指令。 X： XIRQ非屏蔽中断屏蔽位，该位置1将屏蔽XIRQ引脚的中断请求，复位默认为1。 H： 辅助进位，该位为累加器A的bit3向bit4进位，仅用于BCD操作。 I： 可屏蔽中断屏蔽位，该位置1将屏蔽所有的可屏蔽中断源，复位默认为1。 N： 符号位，当运算结果为负时，该位置1。N位实际上是运算结果最高位的拷贝。 Z： 0标志，当运算结果为0时，该位置1。 V： 2补码运算溢出标志，当运算结果出现2补码溢出时，该位置1。 C： 进位/借位标志，当加法运算产生进位或者减法运算产生借位时，该位置1。移位操作或者直接针对C的指令也改变C的值。 * * 举例只是中断的，如果是子程序调用，则只包含返回地址，也就是F1、80。 * $39为开始地址为0010,0000,0000,0000 – 3FFF正好8K,高/低对齐没有意义. 12KRAM为例,复位为0,内部地址空间为0000-3FFF,这是16K地址空间,高位对齐因为只有12K,所以从1000-3FFF. 片内存储空间分配 不同型号的单片机有不同容量的片内RAM，有2KB、4KB、8KB