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第9章 二极管和晶体管 第 9 章 二极管和晶体管 9.1　半导体的导电特性 　　本征半导体就是完全纯净的、具有晶体结构的半导体。 9.1.1　本征半导体 自由电子 空穴 共价键 Si Si Si Si 本征半导体中自由 电子和空穴的形成 　　在获得一定能量(热、光等)后，少量价电子即可挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中就留下一个空位，称为空穴。失去价电子的原子成为正离子，就好象空穴带正电荷一样。这个过程称为热激发或本征激发。 热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，电子和空穴又可能重新结合而成对消失，称为复合。在一定温度下自由电子和空穴维持一定的浓度。 　　在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成电子电流。带正电的空穴吸引相邻原子中的价电子来填补，而在该原子的共价键中产生另一个空穴。空穴被填补和相继产生的现象，可以看成空穴顺着电场方向移动，形成空穴电流。 空穴移动方向 电子移动方向 外电场方向 Si Si Si Si Si Si Si 　　在半导体中自由电子和空穴都能参与导电，称为载流子。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度T=0K时本征半导体不导电。 9.1.1　本征半导体 1、 N 型半导体 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体。 9.1.2　杂质半导体 自由电子浓度远大于空穴的浓度，自由电子多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。 磷（P） N型半导体主要靠自由电子导电，掺入杂质越多，自由电子浓度越高，导电性越强。 故也称电子型半导体)。 9.1.2　杂质半导体 2. P 型半导体 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 　　空穴浓度大于电子浓度，空穴为多数载流子，电子为少数载流子。 硼（B） P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，故也称为空穴型半导体。 说明几点： 　　1. 掺入杂质的浓度决定多子的浓度；温度决定少子的浓度。 4. 杂质半导体总体上保持电中性。 3. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 　　2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P N PN结 图 1.2.1　PN 结的形成 9.1.3　PN结及其单向导电性 9.1.3　PN结及其单向导电性 1.PN结的形成 多子扩散 形成空间电荷区产生内电场 少子漂移 促使 阻止 扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的PN结 减弱 增强 ①外加正向电压（也叫正向偏置） 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，扩散运动大大超过漂移运动，N区电子不断扩散到P区，P区空穴不断扩散到N区，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。 2.PN结的单向导电性 ②外加反向电压（也叫反向偏置） 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场，多子扩散难以进行，少子在电场作用下形成反向电流 IR，因为是少子漂移运动产生的， IR很小，这时称PN结处于截止状态。 2.PN结的单向导电性 9.2　二极管 9.2.1　基本结构 将 PN 结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极管。 小功率二极管 大功率二极管 稳压 二极管 发光 二极管 按结构分，有点接触型和面接触型两类。 点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。 面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。 平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。 高频电路和小功率整流 仅作为整流管 大功率整流和脉冲数字电路的开关管 9.2　二极管 二、二极管的伏安特性及电流方程 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.6~0.8V 几μA以下 锗Ge 0.1V 0.2~0.3V 几十μA 开启电压 反向饱和电流 击穿电压 二极管通过的电流与其端电压的关系称为伏安特性。 二极管单向导电性 正向特性 死区电压 反向特性 9.2.3　主要参数 　　1．最大整流电流 IOM 　　最大整流电流是指二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 　2．反向工作峰值电压 URWM 　　它是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压的1/2或2/3。 　　3．反向峰值电流