精品1解释如下概念：PN结空间电荷区内建电场内建电势80.pptVIP

1、解释如下概念：PN结、空间电荷区、内建电场、内建电势差、突变结、线性缓变结。;线性缓变结：扩散结中杂质的分布中，浓度梯度比较大的一类可以用前述的突变结来描述；浓度梯度比较小的称为线性缓变结。;3、证明热平衡下的PN结，在波尔兹曼近似下，其空间电荷区及电中性区中满足np=ni2.;4、若ND=5x1015cm-3，NA=1017cm-3，求室温下Ge突变pn结的VD。;5、叙述PN具有整流特性的内在物理机理。;单向导电性对应的内部物理机制是： 正向V增加，注入的非平衡少子增加扩散电流增加。 反向V增加，少子的抽取不变，只是空间电荷区宽度略有增加。反向扩散电流不变。;电子扩散区：空穴沿x方向进入电子扩散区后，一部分与N区注入进来的电子不断地复合，其携带的电流转化为电子扩散电流； 另一部分未被复合的空穴继沿x方向漂移，到达-xTP的空穴电流，通过势垒区； ;空穴扩散区：若忽略势垒区中的载流子的产生－复合，则可看成它全部到达了xTN处，然后以扩散运动继续向前，在N区中的空穴扩散区内形成空穴扩散流。在扩散过程中，空穴还与N区漂移过来的电子不断复合，使空穴扩散电流不断地转化为电子漂移流。 直到空穴扩散区以外，空穴扩散电流全部转化为电子漂移流。忽略了少子漂移流后，电子电流便构成了流出N区欧姆接触的正向电流。;7、一硅突变pn结，n区的?n=5?cm，?p=1?s，p区的?p =0.1?cm，?n=5?s，计算室温下空穴电流与电子电流之比、饱和电流密度，以及在正向电压0.3V时流过pn结的电流密度。 解：电流密度公式：;查表得知： ?n=5?cm，?p=0.1?cm时的掺杂浓度为ND=1x1015cm-3 , NA=6x1017cm-3, 查表得知： ND=1x1015cm-3 时，迁移率为?p=500 NA=6x1017cm-3 , ?n=500，?n=5?cm，?p=1?s， p区的?p=0.1?cm，?n=5?s， 反向饱和电流： 加0.3v正向电压时的电流值：;8、已知突变结两边杂质浓度为NA=1016 cm-3、ND=1020cm-3，（1)求势垒高度和势垒宽度；（2)画出|E(x)|、V(x)图。 解: 计算半导体为Si的情况： ①势垒高度公式：qVD=k0Tln(NDNA/Ni2)=0.937ev. 由于ND /NA=1041，属于n+-p结。应用式（6-93）： 则有势垒宽度： ② |E(x)|图 V(x)图 ;;N;9、结合图，讨论影响PN结的I－V特性偏离理想曲线的因素。;10、为什么对于Ge、Si和GaAs，在室温附近，PN结的反向漏电流的不饱和性，依次严重？随温度升高又依次变好？;?随温度的变化： 随着温度的升高，反向扩散电流密度JDR 在反向电流jR 所占比重增加，JDR有饱和性，故PN结的反向漏电流的不饱和性依次变好。;11、什么是PN的电容？主要有几种电容？分别表现在什么工作状态？与金属的平行板电容有何不同？ 答：电容：两极板上的电荷随电压的变化关系可用电容表示。在交流信号作用下，pn结会失去单向导电性，说明有电容作用。 主要有势垒电容和扩散电容两种。 ?势垒区中的杂质离子电荷是随着外加偏置电压而变化的，由此引起的电容效应称为势垒电容，以CT 表示； ?pn在偏置下，在结两侧的扩散区内，各存在着两组过剩载流子，它们的数量也随着外加电压的变化而变化。这种电容效应称为扩散电容，以CD表示。 ?与金属的平行板电容的不同：反向偏压下，p-n结的电容为 其势垒宽度 与外加电压有关，而金属的平行板电容中的X是固定的值，仅与两板间的间距有关。 ;12、分别计算硅n+p结在正向电压为0.6V、反向电压为40V时的势垒区宽度。已知NA=5x1017cm-3, VD=0.8V.;13、分别计算硅p+n结在平衡和反向电压45V时的最大电场强度，已知 ND=5x1015cm-3，VD=0.7V。 解：在p+-n结情况下平衡时的xn为： 当加上45V的反向电压时xn为：(式中V= - 45V) 则： ;14、什么是PN结的雪崩击穿和隧道击穿？这两种击穿机理的击穿电压随温度的变化趋势是怎样？为什么？ 答：pn结在反向偏置下，外加电场的方向和空间电荷区自建电场方向一致，当P区的电子向电源正极移动的过程中穿越势垒时，将受到势垒电场的加速。若电场足够强，电子获得了足够的动能和原子碰撞，将晶格的共价键破坏，产生一个电子-空穴对，这些新产生的电子-空穴对再从电场中获得动能，进一步产生电子-空穴对，从而使势垒区在单位时间内产生大量载流子，迅速增大反向电流，这种击穿机理称为雪崩击穿。;在强场作用下，由于隧道效应，使