大学物理_4固体中电子.pptVIP

3. n型化合物半导体 例如, 化合物 GaAs中掺Te, 六价Te替代五价As可形成施主能级, 成为n型 GaAs杂质半导体. 4. p型化合物半导体 例如, 化合物 GaAs中掺Zn, 二价Zn替代三价Ga可形成受主能级, 成为p型 GaAs杂质半导体. 三、杂质补偿作用 实际的半导体中既有施主杂质(浓度nd), 又有受主杂质(浓度 na), 两种杂质有补偿作用: 若 nd na--- 为n型 若 nd na----为p型 利用杂质的补偿作用, 我们可以制成P--N结. Ea Eg 受主能级 导 带 价 带 . . . . . . . 施主能级 ED 一、PN结的形成 P N 空穴浓度 电子浓度 §4、5 PN结 - + - + - + - + - + P N 耗尽层 E内 E内是P-N结形成势垒区 存在电势差U0 阻止左边P区的空穴向右扩散 阻止右边N区的电子向左扩散 由于P-N结存在, 电子的能量应考虑势垒带来的电子附加势能 电子的能带会出现弯曲 二、Ｐ－Ｎ结的单向导电性 正向偏压 Ｅ内、Ｅ外反向 势垒降低 空穴流向Ｎ区，电子流向Ｐ区 形成正向电流 mA量级 Ｅ外 P N 耗尽层 E内 - + - + - + - + - + 反向偏压 Ｅ内、Ｅ外同向 势垒升高 阻止空穴流向Ｎ区，电子流向Ｐ区 但 存在少数载流子 形成很弱的反向电流 称为漏电流 A量级 Ｅ外 P N 耗尽层 E内 - + - + - + - + - + 外加电压 越大 正向电流 越大 呈非线性的伏安特性 当反向电压超过某一数值后反向电流会急剧增大称为反向击穿. Ｐ－Ｎ结应用 整 流 开 关 第29章 固体中的电子 §29.1 自由电子气体按能量的分布 *§29.2 量子统计 §29.3 能带 导体和绝缘体 §29.4 半导体 §29.5 PN结 气体 液体 固体 晶 体 非晶体 晶 体：大量分子、原子或离子有规则排列的点阵结构 电子受到周期性势场的作用。 凝聚态物理是量子力学的应用很普遍的领域 ? 前 言 研究对象：固体材料、半导体、激光（固体、 半导体）、超导（高温、低温）等。 §29.1 自由电子气体按能量的分布 金属中的电子受到周期排布的晶格上离子库仑力的作用。 一维晶体 晶格、点阵 1 1 2 2 两点重要结论: (1) 电子的能量是量子化的 (2) 电子的运动有隧道效应 两类电子 (1) 蕊电子 (2) 价电子 价电子的势垒穿透概率较大 在整个固体中运动, 称为共有化电子 考虑电子受离子与其它电子的库仑作用 平均场近似下，金属原子的价电子是在均匀的势场中运动，金属表面对电子可近似看作无限高势垒。(功函数远大于电子动能) 这些价电子称为自由电子。 如果考虑立方体形状，N个自由电子好象是装在三维盒子里的气体。 金属自由电子气体模型 同理对 y,z 每个电子都要满足驻波条件 L L L 自由电子气体, 电子能量是量子化的 相同的能量对应许多不同的状态 (简并态) (nx, ny, nz) 量子数 表示电子状态 自由电子气体(量子气体), 按能量分布 ? 能量最低原则 泡利不相容原理 N个电子如何排布的问题 每个(nx, ny, nz),占据一个电子 (不考虑自旋) 在量子数空间 (nx, ny, nz) 0, 第一象限内 从原点附近开始, 一个球面接着一个向外填 一个整数坐标点对应一个状态 整数坐标点的个数 与体积数相当 状态空间内整数坐标点的个数对应其体积，所以状态空间内体积就是状态数目。 考虑自旋以后，小于能量 E 的状态数目应为 所有自由电子按能量从低到高占据可能的状态，最高能量达到 EF ---费米能量或能级 其中 n 金属内自由电子数密度 能量区间 E~E+dE 电子数目百分比 铜电子数密度 ~ 8.49?1028/m3 速率区间 ? ~ ? +d? 附近电子数目百分比 平均速率 单位体积内,能量区间 E~E+dE 内的状态数 电子是按能量规则地从低向高排布， 一个态一个电子（泡利不相容原理） 能量区间 E~E+dE 电子数密度 --态密度 EF E T = 0 0 1 f(E) 小于费米能量态，电子占据几率 1 大于费米能量态，电子占据几率 0 系统 T = 0 小于费米能量，电子数=状态数 一、能带 (energy band) §29.4 能带 导体和绝缘体 自由电子近似过于简单 要考虑与晶格散射 布拉格衍射极大条件 n 整数 反射极大 这种能量的电子不能自由传播 E k k E 禁带 能带 禁带 (1) 越是外层电子, 能带越宽，D E越大 (2) 点阵间距越小，