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SiC晶金属陶瓷复合涂层制备技术研究 　　【摘要】随着科学技术与制造技术日新月异的发展,氧化铝陶瓷在现代工业中得到了深入的发展和广泛的应用。本文介绍了SiC晶金属陶瓷在各个研究领域的应用及其制备工艺,以SiC晶金属陶瓷性能为基础,综述了它在所应用领域的发展状况。采用泥浆预涂层反应法在C/SiC复合材料表面制备Si/SiC涂层。通过理论计算和实验确定了制备致密不开裂涂层的泥浆配比；研究了埋粉烧结和气相硅真空反应烧结2种不同烧结气氛对Si/SiC涂层微观形貌和成分的影响；分析了不同涂层的工艺过程、工艺特点、性能以及优缺点，提出了高温反应合成涂层技术存在的问题，展望了研究发展方向。 　　【关键词】SiC涂层，金属陶瓷，复合涂层 　　中图分类号：TU74 文献标识码：A 文章编号： 　　一.前言 　　高新技术和工业现代化的持续高速发展使得各种机械零件的工作条件日益苛刻。由于零部件的破坏往往从表面开始,表面的局部破坏又会导致零件的整体失效,因此, C/C和SiC复合材料具有诸多优异的高温性能,如高温稳定性、较高温度下低的线膨胀系数、强度随温度升高而增加、摩擦系数稳定等,在航天、化工、冶金、交通和机械工业等领域备受青睐采用包埋法在C/C复合材料表面制备了SiC高温防氧化涂层。涂层主要由β-SiC和少量的游离Si组成,涂层表面有裂纹存在,涂层与C/C和SiC复合材料基体结合良好,呈现犬牙状结合, 在SiC晶金属陶瓷复合涂层制备技术方面得到了完美体现。 　　二.SiC晶金属陶瓷复合涂层 　　采用料浆法在C/C复合材料siC内涂层表面制备出分别适用于900℃、1300℃和1500℃长期防氧化的陶瓷外涂层。当siC内层为采用两步包埋法制备的致密涂层时，适用于900℃的siC/陶瓷涂层具有较好的防氧化性能，涂层试件在900℃静态空气中氧化100小时后失重率仅为0.14%， 　　涂层在试件在氧化过程中表现为微量失重的主要原因是陶瓷涂层在氧化温度下的缓慢挥发。陶瓷的涂层适用1400℃左右的防氧化陶瓷密封层结构为MOSIZ相分散于硼硅酸盐玻璃相之中。而且该涂层具有非常好的的抗氧化性能和抗热震性能的特点，在1400℃左右的静态空气中氧化中放置160小时和经19次1400℃。室温急冷急热循环后，涂层试样的氧化失重率可能达到仅仅的2.16%。 　　因为氧通过涂层中的裂纹扩散至基体表面而氧化基体涂层试件的氧化是主要原因，以及部分区域的涂层脱落所引起的。制备的适用于1500℃防氧化的陶瓷涂层可在1500℃空气中对C/C复合材料有效保护140小时以上。该涂层试件在1500℃空气中的氧化失重主是由于陶瓷涂层的开裂以及涂层表面气孔的形成引起的。 　　带有SiC和SiC和C混合材料涂层的C/C复合材料的质量变化速率随温度的升高而慢慢地降低。在这个过程中，带有SiC涂层的C/C复合材料表面已形成SiO2薄膜，很少量氧气会通过扩散穿过涂层,在C/Si复合材料表面就被消耗，C/C复合材料发生近表面不均匀氧化。随着温度升高, SiO2薄膜的厚度逐渐增大，扩散进入材料内部的氧化性气体逐渐减少，带有SiC涂层的C/C复合材料的失重速率逐渐降低。因此，第4阶段为近表面不均匀氧化阶段。 　　三.金属陶瓷材料体系的选择原理 　　如何改善金属对陶瓷的润湿性从而改善材料烧结及机械性能成为当前金属陶瓷材料制备中的一个重要问题。因为陶瓷和金属的晶体类型及物理化学特性的差异，陶瓷和金属的的相容性很差，很大一部分液金属都不能够润湿陶瓷。 　　1．提高陶瓷组分的细度、分散度及增加表面缺陷来改善两相间的润湿性.陶瓷细度以及分散度的加大必然增大了陶瓷相的比表面积和反应活性，增加表面缺陷可起到加大陶瓷表面能的作用同样提高了陶瓷相的反应活性从而促进了润湿。 　　2. 陶瓷涂层与多孔SiC的原因是由于涂层防氧化失效的根源而造成的。陶瓷涂层内涂层的界面因为存在很多孔隙而结合比较差。为了提高内外涂层间的界面结合力，常常通过调整涂层原料配方与制备温度，在C/SiC复合材料表面制备致密的SiC内涂层，陶瓷外涂层的制备工艺对C/SiC含量一般制备复合涂层的含量要高出一倍。 　　四.带有SiC涂层的C/SiC复合材料的氧化过程 　　1. 当前提高C/SiC复合材料抗氧化性能的方式主要有两种方式:一种方式是以材料本身对氧化反应进行反催化为前提的内部基体改性技术，就是在C/SiC复合材料制备过程中就对炭纤维和基体炭进行改性处理，使得它们本身具有较强的抗腐蚀能力和抗氧化能力；二是利用高温涂层隔离氧和C/SiC基体以防止含氧气体接触扩散为前提的外部抗氧化涂层技术，就是在C/SiC复合材料表面制备耐高温氧化的涂层，来达到防氧化的目的。 　　2. 玻璃密封层可有效提高C/SiC复合材料SIC涂层的防氧