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打破冯诺依曼结构，存储计算合一，HP推的忆阻器 原文地址：打破冯诺依曼结构，存储计算合一，HP推的忆阻器作者：老农忆阻器的英文Memristor来自「Memory(记忆)」和「Resistor(电阻)」两个字的合并，从这两个字可以大致推敲出它的功用来。最早提出忆阻器概念的人，是华裔的科学家蔡少棠，当时任教于美国的柏克莱大学。时间是1971年，在研究电荷、电流、电压和磁通量之间的关系时，蔡教授推断在电阻、电容和电感器之外，应该还有一种组件，代表着电荷与磁通量之间的关系。这种组件的效果，就是它的电阻会随着通过的电流量而改变，而且就算电流停止了，它的电阻仍然会停留在之前的值，直到接受到反向的电流它才会被推回去。用常见的水管来比喻，电流是通过的水量，而电阻是水管的粗细时，当水从一个方向流过去，水管会随着水流量而越来越粗，这时如果把水流关掉的话，水管的粗细会维持不变；反之当水从相反方向流动时，水管就会越来越细。因为这样的组件会「记住」之前的电流量，因此被称为忆阻器。 忆阻器有什么用? 在发现的当时.没有。蔡教授之所以提出忆阻器，只是因为在数学模型上它应该是存在的。为了证明可行性，他用一堆电阻、电容、电感和放大器做出了一个模拟忆阻器效果的电路，但当时并没有找到什么材料本身就有明显的忆阻器的效果，而且更重要的，也没有人在找--那是个连集成电路都还刚起步不久的阶段，离家用电脑开始普及都还有至少15年的时间呢！于是这时候HP就登场了。事实上HP也没有在找忆阻器，当时是一个由HP的Phillip JKuekes领军的团队，正在进行的一种称为Crossbar Latch的技术的研究。Crossbar Latch的原理是由一排横向和一排纵向的电线组成的网格，在每一个交叉点上，要放一个「开关」连结一条横向和纵向的电线。如果能让这两条电线控制这个开关的状态的话，那网格上的每一个交叉点都能储存一个位的数据。这种系统下数据密度和存取速度都是前所未闻的，问题是，什么样的材料能当这个开关?这种材料必需要能有「开」、「关」两个状态，这两个状态必需要能操纵，更重要的，还有能在不改变状态的前提下，发挥其开关的效果，允许或阻止电流的通过。如何取得这样的材料考倒了HP的工程师，因此他们空有Crossbar Latch这么棒的想法，却无法实现。谁知道，他们在找的东西，正是忆阻器? 忆阻器的实现 [1]蔡教授提出忆阻器理论后几十年过去了，工业界一直没有找到能够实现忆阻器的材料。时间到了2005年，由HP的Phillip JKuekes领军的团队，正在进行的一种称为Crossbar Latch的技术的研究。Crossbar Latch的原理是由一排横向和一排纵向的电线组成的网格，在每一个交叉点上，要放一个开关连结一条横向和纵向的电线。如果能让这两条电线控制这个开关的状态的话，那网格上的每一个交叉点都能储存一个位的数据。这种系统下数据密度和存取速度都是前所未闻的，问题是，什么样的材料能当这个开关?这种材料必需要能有开、关两个状态，这两个状态必需要能操纵，更重要的，还有能在不改变状态的前提下，发挥其开关的效果，允许或阻止电流的通过。如何取得这样的材料考倒了HP的工程师。直到2008年(距蔡教授提出忆阻器已经37年过去了)才出现了转机，另一个由Stanley Williams领军的HP团队在研究二氧化钛的时候，意外地发现了二氧化钛在某些情况的电子特性比较奇特。Stanley等人发现，一块极薄的二氧化钛被夹在两个电极中间，这些二氧化钛又被分成两个部份，一半是正常的(图二中undoped部分)二氧化钛，另一半进行了掺杂(图二中doped部分)，少了几个氧原子。当掺杂的那一半带正电，因此电流通过时电阻比较小，而且当电流从掺杂的一边通向正常的一边时，在电场的影响之下缺氧的掺杂物会逐渐往正常的一侧游移，使得以整块材料来言，掺杂的部份会占比较高的比重，整体的电阻也就会降低。反之，当电流从正常的一侧流向掺杂的一侧时，电场会把缺氧的掺杂物从回推，电阻就会跟着增加。因此，整个器件就相当于一个滑动变阻器一样。 忆阻器的未来 HP关于忆阻器的发现在2008年时发表于「自然」期刊，2009年证明了Cross Latch的系统很容易就能堆栈，形成立体的内存。目前的技术每个电线间的「开关」大约是3nm x3nm大，开关切换的时间约在1ns左右，整体的运作速度约是DRAM的1/10--还不足以取代DRAM，但是靠着1 cm2 100 gigabit，1cm3 1petabit(别忘了它是可以堆栈的)的惊人潜在容量，干掉闪存是绰绰有余的。但是Crossbar Latch可不止用来储存数据而已。它的网格状设计，和每个交叉点间都有开关，意味着整组网格在某些程度上是可以逻辑化的。在原始的Crossbar Latch论文