方案二阻性MicroMegas探测器结构.pptVIP

* * * * * /20 MicroMegas探测器的打火抑制方法研究 报告人：范胜男 核探测与核电子学国家重点实验室 中国科学院高能物理研究所 2012-12-14 第三届MPGD会议报告 * 内容 1.研究目的 2.采取方案 3.实验结果与分析 4.小结 * * * 1. 研究目的 MicroMegas作为新兴的微结构气体探测器，具有以下明显的优点： 优秀的空间位置分辨 耐辐照 高计数率能力 良好的时间分辨 结构简单，易于大面积制作 造价相对低廉 漂移区 雪崩区 编织网 标准MicroMegas探测器结构示意图 研究目的（续） * 标准工艺MicroMegas探测器，主要存在的不足： 由于雪崩区很窄，在高增益下或高计数率下，很容易引起局部电荷密度过大,发生流光放电. 这样容易损坏探测器和前端电子学，由于高压的下降会带来很大的死时间. 打火引起死时间过大，致使计数率降低. 微网监测打火电流超过500nA. 以上存在的不足，通过两种不同的方案，解决部分问题，并提高探测器性能指标。 * 2.采取方案 方案一：添加预放大器。 在微网上方1-2mm处，加一层GEM作为预放大 在相同增益下，降低MicroMegas的工作电压和倍增压力 降低打火率 “GEM+MM”相对于标准Micromegas提高增益 结合GEM探测器的结构优势 提高探测器的工作稳定性 添加预放大器方案示意图 * 2.采取方案 方案二：采用阻性读出方法。 阻性读出方案示意图 在读出阳极表面加阻性膜，将打火电流导走 降低打火对前端电子学的损伤 加大电子束团扩散，便于利用电荷重心法 利用阻性膜的感应读出 提高探测器增益和稳定性 * * 3.实验结果与分析 方案一：GEM-MM探测器 入射粒子进入探测器，与工作气体发生反应，在漂移区产生的原初电子经过了两级放大：GEM和MicroMegas。 经过两级放大后，探测器的增益能得到明显的提高，而且缓解了MicroMegas的倍增压力； 在传输区产生的原初电子则只经过MicroMegas的一级放大。 MM-GEM探测器的组装过程 GEM-MM探测器结构示意图 * 测量电子学及标定结果 探测器测量示意图 电子学标定曲线 输入电荷量与MCA通道数的关系： * * GEM-MM探测器最佳场强比的确定 微网两端场强最佳比值为216.8； Gem与漂移区最佳场强比为67.08。 * * * 标准探测器 GEM-MM探测器 工作气体为95%Ar+5%Iso 改变微网和?GEM电压 有效增益明显高于标准探测器 在实现相同增益下，微网电压明显低于标准探测器 增益结果 * 55Fe X放射源能谱 得到两组特征X射线的全能峰和逃逸峰； 全能峰位置与逃逸峰位置的比值分别为1.96、1.95； 入射粒子进入探测器，与工作气体发生反应，在漂移区产生的原初电子经过了两级放大：1.GEM和2.MicroMegas。在传输区产生的原初电子则只经过MicroMegas的一级放大。 * * 根据两个全能峰的比值，求得GEM的放大倍数； VGEM =310V时，GEM放大倍数仅为30倍； 适当提高?GEM电压，使探测器达到更高的增益. * GEM膜放大倍数 * 能量分辨率 * 探测器稳定工作 能量分辨率(FWHM)~ 21%（FWHM） 略差于标准探测器~16%（FWHM） * 上升时间测量 * GEM-MM探测器：120ns~200ns 标准探测器：100ns~160ns 电荷信号上升时间 3000次信号统计结果 GEM两端电压为310V 120ns~200ns之间 GEM膜的增加，没有降低整个信号的上升时间 利用快电子学，可以工作在高计数率下 * * 打火率测量 根据GEM-MM增益为15000时，信号电荷量为0.57pC,定义电荷量超过2pC（约四倍关系）为打火事例，打火率根据以下公式求得： 55Fe X射线源放射性活度为1mCi； 实验中，为了提高统计量，每次的获取数据时间为5个小时； * * 打火率测量（续） 不同GEM电压下的GEM-MM探测器打火率 与标准MM探测器的比较 在相同的总增益下，GEM-MM探测器相对于标准MM探测器能降低10-100倍的打火率； 表明与GEM-MM打火有关的参数是局部电荷密度，不是总电子数； 在足够增益下，适当降低微网电压，可以显著降低GEM-MM打火率． * * 探测器稳定性 测量时间30小时； GEM两端电压为310V； 每5小时，改变一次电压，取一次数据； 探测器增益与微网电压成典型的指数关系； 探测器工作稳定. 标准探测器工作不稳定区域 优点与不足 * GEM-MM探测器能明显的提高探测器的增益； 在相同增益下， 相对于标准探测器，GEM-MM探