硅栅P阱CMOS相器版图设计的典型示例.pptVIP

硅栅P阱CMOS反相器版图设计举例 * 5. 刻NMOS管S、D 6. 刻接触孔 7. 反刻Al (W/L)p=3(W/L)n 1. 刻P阱 2. 刻有源区 3. 刻多晶硅栅 4. 刻PMOS管S、D 1. 刻P阱 2. 刻有源区 3. 刻多晶硅栅 4. 刻PMOS管S、D 5. 刻NMOS管S、D VDD Vo Vi Vss 7. 反刻Al 6. 刻接触孔 VDD Vi Vss Vo 光刻1与光刻2套刻 光刻2与光刻3套刻 光刻3与光刻4套刻 光刻胶保护 光刻4与光刻5套刻 光刻胶保护 刻PMOS管S、D 刻NMOS管S、D D D S S 光刻5与光刻6套刻 VDD Vi Vss Vo 光刻6与光刻7套刻 VDD Vi VDD Vo Vi Vss VDD Vi Vss Vo Vi Vo T2 W/L=3/1 T1 W/L=1/1 Poly Diff Al con P 阱 Vi Vss Vo VDD *