第十一章Flash存储器地在线编程.ppt

§11.1 Flash存储器概述与编程模式 第十一章 Flash存储器的在线编程 主要内容 Flash存储器概述与编程模式 MC68HC908GP32单片机Flash存储器编程方法 GP32单片机Flash在线编程汇编语言实例 GP32单片机Flash在线编程C语言实例 HCS08系列单片机Flash编程方法 11.1 Flash 存储器概述与编程模式 11.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模式 （1）Flash存储器的基本特点 ① 固有不挥发性 ② 易更新性 ③ 成本低、密度高、可靠性好 （2）Flash存储器的两种编程模式 ①监控模式（Monitor Mode）或写入器模式 ②用户模式（User Mode）或在线编程模式 11.1.2 M68HC08系列单片机Flash存储器的特点与编程模式 （1）M68HC08系列单片机Flash存储器的特点 第一，编程速度快及可靠性高。 第二，单一电源电压供电。 第三，支持在线编程。 （2）M68HC08系列单片机Flash存储器的编程模式 11.2 MC68HC908GP32单片机Flash存储器编程方法 11.2.1 Flash存储器编程的基本概念 （1）对Flash编程的两种基本操作：擦除（Erase）和写入（Program） 擦除操作的含义是将存储单元的内容由二进制的0变成1， 写入操作的含义是将存储单元的内容由二进制的1变成0。 擦除及写入操作都是通过设置或清除Flash存储器的控制寄存器（FLCR）中的某个或某些位来完成的。 （2）Flash片内单位：页（Page）和行（Row） 页和行的大小（字节数）随整个Flash存储器的大小变化而变化，但页的大小始终为行的两倍。例如MC68HC908GP32内含32K的Flash存储器（地址为$8000～$FDFF），每页的大小为128字节，每行的大小为64字节；而MC68HC908JL3片内Flash存储器仅有4K，每页和每行的大小也分别变为64字节和32字节。 （3）Flash的整体擦除和页擦除 对于GP32单片机来说，对Flash存储器的擦除操作可以进行整体擦除也可以仅擦除某一起始地址开始的一页（128字节）。也就是说，不能仅擦除某一字节或一次擦除小于128字节。注意这一特点，在数据安排时尤为重要。GP32单片机的写入操作以行（64字节）为基础，一次连续写入数据个数只能在一行之内。当然，不经过擦除的区域，不能进行写入，这一点需特别注意。 11.2.2 Flash存储器的编程寄存器 （1）Flash控制寄存器（Flash Control Register — FLCR） FLCR的地址：$FE08，定义为： （2）Flash块保护寄存器（Flash Block Protect Register — FLBPR） GP32与JL3芯片Flash块保护寄存器设置比较 11.2.3 Flash存储器的编程过程 MC68HC908GP32的Flash编程的基本操作: （1）页擦除操作 下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节): $2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位):进行页面擦除； 读Flash块保护寄存器FLBPR； 向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值，一般向待擦除页 首地址写入0； ①延时tnvs(10μs)； ②$A→FLCR(1→HVEN位)； ③ 延时terase(1ms)； ④ $8→FLCR(0→ERASE位)； ⑤ 延时tnvh(5μs)； ⑥ $0→FLCR(0→HVEN位)； ⑦ 延时trcv(1μs)，完成一页的擦除操作。 （2）整体擦除操作 （3）编程操作 MC68HC908GP32的Flash编程参数 11.3 GP32单片机Flash在线编程汇编语言实例 11.3.1 Flash存储器的擦除及写入汇编子程序 （1）擦除子程序 （2）写入子程序 （3）擦除与写入子程序编程要点说明 ① RAM中要留有足够的缓冲区，以便存放复制到RAM中的子程序，具体值是取擦除与写入子程序中的