微机课10(存储扩展2-2).ppt

8.4 静态数据存储器的扩展 在单片机应用系统中，外扩的数据存储器都采用静态数据存储器（SRAM），所以只讨论SRAM与89C51的接口。 8.4.1 常用的静态RAM（SRAM）芯片 典型型号有:6116、6264、62128、62256。+5V电源供电，双列直插封装，6116为24引脚封装，6264、62128、62256为28引脚封装，引脚如图8-15。 各引脚功能: A0～A14：地址输入线。 D0～D7：双向三态数据线。 CE*：片选信号输入。对于6264芯片，当26脚(CS)为高电平时,且CE*为低电平时才选中该片。 OE*：读选通信号输入线。 WE*：写允许信号输入线，低电平有效。 Vcc：工作电源+5V GND：地 8.4.3 AT89C51与RAM的接口电路设计 图8-18为线选法扩展外部数据存储器的电路。 8.5 EPROM和RAM的综合扩展 8.5.1 综合扩展的硬件接口电路 【例8-2】 采用线选法扩展2片8KB的RAM和2片8KB的EPROM。RAM选6264，EPROM选2764。扩展接口电路见图8-20。 【例8-3】 采用译码器法扩展2片8KB EPROM，2片8KB RAM。EPROM选用2764，RAM选用6264。共扩展4片芯片。 8.5.2 外扩存储器电路的工作原理及软件设计 2. 单片机片外数据区读/写数据过程 例如：把片外6000H单元的数送到片内RAM 50H单元，程序如下： MOV DPTR，#6000H MOVX A，@DPTR MOV 50H，A 例如：把片内50H单元的数据送到片外4000H单元中，程序如下： MOV A,50H MOV DPTR,#4000H MOVX @DPTR,A 【例8-1】 编写程序将片外数据存储器中5000H～50FFH单元全部清零 方法1： 用DPTR作数据地址指针，同时使用字节计数器。(计数控制循环) MOV DPTR，#5000H ；设置数据块指针的初值 MOV R7，#00H ；设置块长度计数器初值 CLR A ；A置写数据00H LOOP： MOVX @DPTR，A ；把当前单元清零 INC DPTR ；地址指针加1 DJNZ R7，LOOP ；减1，若不为0则继续清零 HERE： SJMP HERE ；执行完毕，原地踏步 例8-1 编写程序将片外数据存储器中5000H～50FFH单元全部清零 方法2： 用DPTR作为数据区地址指针，但不使用字节计数器，而是比较特征地址。 (条件控制循环) MOV DPTR，#5000H ；设置数据块指针的初值 CLR A ；A置写数据00H LOOP：MOVX @DPTR，A ；把当前单元清零 INC DPTR ；地址指针加1 MOV R7，DPL ；取新地址值低字节 CJNE R7，# 0 ，LOOP ；与末地址+1的低字节比较，未完继续 HERE：SJMP HERE 【例B4-2】 有一组数据，存放在30H为首地址的内存单元，数据长度为12个。试将每一个数取出加1，依序存放到以50H为首地址的单元中。 作业五 ： P.140 — 4. 6. 7. 8. 11. 13. （对每个答案仔细思考为什么） 补充4-4：编写完整的应用程序，将片外数据存储器2A01H开始的24个单字节数据依次传送到片内32H开始的单元中。 补充8-1：请列出详细的地址分析过程，求出下列存储器片选译码电路各输出端所对应的地址区域。 * P.130 图8-15常用SRAM芯片引脚图 P.131 2 KB 16 KB 32 KB 8 KB 图8-18 线选法扩展外部数据存储器的电路 P.133 0000H~1FFFH 4000H~5FFFH 8000H~9FFFH C000H~DFFFH 0000H~1FFFH 2000H~3FFFH 8000H~9FFFH A000H~BFFFH 0000H~1FFFH 2000H~3FFFH 4000H~5FFFH 6000H~7FFFH 地址冲突区 非冲突区(可用) 每片均有 4个地址重复区 【线选译码】 8KB 8KB 8KB (一个逻辑地址对应多个物理单元) 译码选通法扩展,如图8-19所示。 图8-19 P.134 C000H~FFFFH 8000H~BFFFH 4000H~