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光刻胶剥离制程中问题分析 　　摘 要: 光刻胶剥离制程为TFT-LCD中重要的制程，其剥离效果及洗净程度将直接影响TFT质量，本文主要阐述了TFT- LCD 生产中光刻胶剥离制程可影响产品质量的问题，并根据产线的情况对这些问题产生原因进行了分析, 对实际生产过程中出现的问题提出了相应的解决方案。 　　关键词: 光刻胶剥离； Mura；腐蚀；光刻胶残留 　　中图分类号：TN305.7 文献标识码：A 　　在TFT-LCD生产的阵列段内，光刻胶剥离制程是使用有机性、碱性剥离液洗去TFT基板上的用于保护非蚀刻部分的光刻胶，是每道制程中最后一步，其质量控制点在于：光刻胶的去除能力，Mura（色差）的控制，金属层的腐蚀，Particle（细小颗粒）的控制。由于光刻胶剥离制程存在于TFT制程中的每一道，清洗的质量将直接影响后续制程，且光刻胶剥离机的Tact time（节拍）较短，只有40秒/片，产品的抽检为每10~20批抽检1批，所以光刻胶剥离制程一旦出现问题，产品将影响多批，所以保持光刻胶剥离设备的制程稳定性显得尤为重要。 　　公司目前设备常发生Mura，光刻胶回粘，和金属层腐蚀问题，使用光刻胶剥离液有TOK106（MEA 70% ，DMSO 30%）。理论联系实际，通过实验找寻解决问题，改善产品质量的方法。 　　一、TOK106剥离液。 　　TOK106剥离液的主要成分为,MEA(70%， HO-CH2-CH2-NH2乙醇胺)作用：浸润能力，与光刻胶形成微胞。DMSO（30%，（CH3）2SO 二甲基亚砜），溶剂，作用：浸润能力。TOK106剥离液与光刻胶作用的步骤： 　　第一步：机台通过液刀，低压喷嘴等将剥离液均匀喷洒至基板表面，剥离液将光刻胶浸润，软化。其中DMSO溶剂将膨胀光刻胶，MEA在光刻胶和基板间交互。 　　第二步：一般通过高压喷嘴喷出的剥离液击打已被软化的光刻胶，将光刻胶击碎，分解，形成微胞。 　　第三步：利用药液循环作用，洗净基板表面残留光刻胶，并降低剥离液内光刻胶含量，防止产生光刻胶回粘在基板上 　　二、光刻胶剥离常见的制程的问题 　　常见的光刻胶剥离制程产品问题有以下： 　　1、剥离不净。 　　2、光刻胶回粘。 　　3、Particle 　　4、Mura 　　5、Al腐蚀 　　6、刮伤基板 　　其中刮伤问题多因机台机构异常，机构直接与基板接触，导致刮伤产生； Particle的防控多以控制水洗单元的流量，清洁干燥单元有关本文不表。 　　笔者将常见的制程问题进行比对和再划分，分为（1）剥离单元剥离能力。（2）光刻胶回粘洗净能力。（3）水洗置换能力。 　　三、剥离单元剥离能力 　　剥离单元的剥离能力不足导致光刻胶剥离不净。 　　剥离单元常使用的制程：先正常中低压喷洒，用以泡胀光刻胶，再用高压喷洒击碎光刻胶，最后用正常中低压喷洒清洗，用较洁净的药液置换脏污的药液。其中在第二步中，如果用高压和低压间隔喷洒，称为MSJ（高低压混合型喷洒）。如果只用高压喷洒，称为连续JET。 　　连续JET，由于药液浸润只在光刻胶的表层，下层的光刻胶没有得到充分的浸润，经过连续JET也只能将表层的光刻胶洗去，下层光刻胶清洗不净易导致残渣的发生。 　　MSJ，每经过浸润的光刻胶都会被接下来的高压JET击碎、洗去，再浸润高压JET，反复多次直至洗净全部光刻胶。 　　目前公司常发生光刻胶残留的设备。连续的中压冲洗，去光刻胶能力弱于MSJ。建议改造方案：（1）将DMSO室改造为剥离室。增加剥离的制程时间，增加水洗室水量，防止金属层腐蚀和Mura产生，实验证明，DMSO室可直接改造成剥离室，但生产出的产品有Mura（将在第5章详述）。同时产品因机台异常停在水洗时，会发生金属层腐蚀。但由于不使用DMSO药液，将节约DMSO液的使用量，从而节省药液并降低生产成本。（2）将剥离3室改造为高压冲洗，需更换泵的型号，并需增加上压滚轮防止因喷洒压力增大导致基板传送问题发生。（3）将剥离2和剥离3室的几排喷嘴用外壳包起，使其在喷洒的时形成气泡，通过气泡的破裂形成高压。 　　四、光刻胶回粘清洁能力 　　光刻胶回粘清洗能力取决于：药液中的光刻胶含量及第一道水的洗净能力。 　　药液中的光刻胶含量：为了节省剥离液的使用量，在药液的运用上常是最先发生反应的单元药液中光刻胶含量越高，最后反应的制程光刻胶含量越少，由基板带到水洗室的剥离液中的光刻胶含量越少，被洗的可能性就越大。使用析光度分析仪，通过对Tank4内药液做光的折射率分析来判断tank4内的光刻胶含量，这种方法也可以使用肉眼观察分析来做简单鉴定。 　　现有机台药液的运用方法，使得随基板带到水洗的的光刻胶含量是某5代线剥离3带到剥离4的含量，不同的光刻胶含量运