多晶硅的生产工艺图与车间工艺培训.docVIP

还原氢化工序工艺讲义 第一节 工序划分及主要设备 一、三氯氢硅还原的工序划分 单元号 工序名称 T1100/T1101 三氯氢硅(TCS)蒸发 T1200/T1201 四氯化硅(STC)蒸发 T100/T101 还原 T200/T201 氢化 T300 硅芯拉制 T400 硅芯腐蚀 T500 破碎、分级 T600 超纯水制取 T700 实验室(分析检测中心) T800/801 钟罩清洗 T900 冷却水循环系统 T1000 HF洗涤 二、主要原辅材料及质量要求 物质 纯度 原料 三氯氢硅 TCS≥99%（B≤0.1ppb;P≤0.1ppb） 四氯化硅 STC≥98% 氢气 H2≥99.999% 硅芯 Si≥99.999%；电阻率≥50Ω·cm(暂定)；Φ5mm ；长 石墨电极 高纯 辅料 硝酸 分析纯 氢氟酸 优纯级或分析纯 洗涤剂 氢氧化钠 分析纯或化学纯 酸洗剂 氨基磺酸 化学纯 超纯水 电阻率＞18M·Ω 三、主要设备 设备 个数 位号 三氯氢硅(TCS)蒸发器 4 T1100AB001/002 T1201AB001/002 四氯化硅(STC)蒸发器 4 T1200AB001/002 T1201AB001/002 还原炉及氢化炉的静态混合器 2 AM100 还原炉 18 T100/T101AC001-009 氢化炉 9 T200AC001-005 T201AC001-004