氮化镓功率晶体管基础.PDFVIP

应用笔记 氮化镓功率晶体管 氮化镓功率晶体管的基础 宜普电源转换公司Stephen L. Colino及Robert A. Beach 我们对功率半导体最基本的要求是其性能、可靠性、管控性及成 本效益。它的高频率性能，可切合稳压器系统于体积及瞬态响应 操作 方 面 的 需 要 而 具 更 高 价 值 ， 并 为 D 类 功 率 放 大 器 提 供 高 保 真 度 。 宜普氮化镓晶体管的表现跟硅功率 一个新器件结构如果不高效、不可靠的话，根本不可能商品化。 MOSFET非常相似。在栅极上，相对 市 场 上 有 很 多 新 结 构 及 原 料 可 供 选 择 ， 有 些 成 功 地 取 得 经 济 效 于源极，一个正偏压会产生吸引电 益；有些则是取得有限的接受度。不过，现在有氮化镓(Gallium 子的场效应，构成漏极与源极之间 的相向通道。由于电子被集中在一 Nitride/GaN)增强型功率管控组件