《电子技术基础》习题三.docVIP

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《电子技术基础》习题三.doc

西安交通大学网络教育学院 《电子技术基础》习题三 一、单项选择题(本大题共30小题,每小题2分,共60分) 1、测得处于放大状态的某三极管当IB=30?A时,IC=2.4mA;IB=40?A时,IC=3mA;该三极管的交流放大倍数为( ) A、80 B、60 C、75 D、100 2、图示三极管应用电路中,三极管的UBE= 0.6V,?=50,如果近似认为三极管集电极与发射极间饱和电压UCES ≈ 0,则三极管的集电极电流IC ( )。 A、等于5mA B、等于3mA C、约等于4mA D、等于0 3、图示三极管应用电路中,三极管工作在 ( )。 A、截止区 B、饱和区 C、放大区 D、击穿区 4、测得放大电路中某三极管各管脚对参考点的电位分别为:管脚①2.3V,管脚②3V,管脚③-9V,则可判定( )。 A、该三极管是锗管且管脚①是发射极 B、该三极管是硅管且管脚③是发射极 C、该三极管是硅管且管脚①是发射极 D、该三极管是硅管且管脚②是发射极 5、增强型NMOS管的电路符号是下图中的( ) 6、图示差动电路,在电路非理想对称的条件下,增大RE对放大电路性能的影响是( )。 A、提高共模电压放大倍数 B、提高共模抑制比 C、提高差模电压放大倍数 D、增加差模输入电阻 7、图示差动电路中,增加RE对放大电路性能的影响是( )。 A、减小共模抑制比 B、减小差模电压放大倍数 C、减小共模电压放大倍数 D、增加差模输入电阻 8、功率放大电路如图所示,三极管的饱和压降UCES=2V,该电路的最大效率ηmax为( )。 A、78.5% B、62.8% C、50% D、100% 9、功率放大电路如图所示,三极管的饱和压降UCES=2V,则负载RL可获得的最大不失真功率Pomax为( )。 A、6.25W B、4W C、12.5W D、8W 10、为了提高放大电路的效率和带负载能力,多级放大电路的输出级常采用( )。 A、互补对称功率放大电路 B、三极管差动放大电路 C、共发射极放大电路 D、共集电极放大电路 11、图示电路中RF引入的级间反馈类型为( )。 A、串联电压负反馈 B、串联电流负反馈 C、并联电压负反馈 D、并联电流负反馈 12、图示电路中RF引入的级间反馈类型为( ) A、串联电压负反馈 B、串联电流负反馈 C、并联电压负反馈 D、并联电流负反馈 13、在放大电路中引入负反馈后,对放大电路性能的影响是( )。 A、增大放大倍数,提高放大倍数的稳定性 B、减小放大倍数,改善非线性失真 C、提高输入电阻,减小输出电阻 D、减小放大倍数,消除非线性失真 14、集成稳压电源W7805应用电路如图所示,输出电压UO的大小为( )。 A、5V B、6V C、11V D、18V 15、逻辑电路如图所示,TTL逻辑门电路的关门电阻ROFF=0.7k?,开门电阻RON=2k?,在上拉电阻RU取值正常的情况下,输出端F的逻辑表达式为( )。 A、 B、 C、 D、 16、三态门电路如图所示,则F的逻辑表达式为( )。 A、 B、 C、 D、 17、图示逻辑电路中,已知TTL门电路的关门电阻ROFF=0.7k?,开门电阻RON=2k?,则输出输出F的逻辑表达式为( )。 A、 B、 C、 D、 18、对TTL与非门电路多余的输入端子,不可以( ). A、接高电位 B、与有用输入端子并联 C、接地 D、通过电阻接地 19、TTL逻辑电路如图所示中、输出F的高、低电平值约为( )。 A、 B、 C、 D、 20、时序逻辑电路如图(a)所示,设D触发器的初始状态为“0”,在时钟脉冲CP作用下Q端的波形为图(b)中的( )。 21、JK触发器组成的电路如图(a)所示,设触发器的初始状态为“0”,时钟脉冲CP的波形如图(b)中所示,则输出Q的波形为图(b)中的( )。 22、555集成定时器构成的应用电路如图所示,当开关S接通后扬声器( )。 A、将会一直发出声响 B、发出声响一段时间后自动停止 C、永远不会发出声响 D、开始不会发出声响,延时一段时间后会一直发出声响 23、由555集成定时器

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