模拟电子技术基础--第1节--常用半导体器件--14--场效应管.pptVIP

作业 1-14 1-15 1-16 第一节 场效应管概述 场效应管出现的历史背景 场效应管的用途 场效应管的学习方法 场效应管的分类 场效应管出现的历史背景 1947年贝尔实验室的科学家发明的双极型三极管代替了真空管，解决了当时电话信号传输中的放大问题。但是这种放大电路的输入电阻还不够大，性能还不够好。因此，贝尔实验室的科学家继续研究新型的三极管，在1960年发明了场效应管。场效应管的输入电阻比双极型三极管要大得多,场效应管的工作原理与双极型三极管不同。 场效应管的用途 场效应管又叫做单极型三极管，共有三种用途： 一是当作电压控制器件用来组成放大电路； 二是在数字电路中用做开关元件。 三是当作压控可变电阻，即非线性电阻来使用； 场效应管的学习方法 学习中不要把场效应管与双极型三极管割裂开来，应注意比较它们的相同点和不同点。 场效应管的栅极、漏极、源极分别与双极型三极管的基极、集电极、发射极对应。 场效应管与双极型三极管的工作原理不同,但作用基本相同。 场效应管还可以当作非线性电阻来使用,而双极型三极管不能。 场效应管的分类 第二节 结型场效应管(JFET)的结构和工作原理 （1）电压源UGS和电压源UDS都不起作用，电压值均为0； （2）只有电压源UGS起作用，电压源UDS的电压值为0； （3）只有电压源UDS起作用，电压源UGS的电压值为0； （4）电压源UGS和电压源UDS同时起作用。 JFET的三个状态 恒流区（放大区、饱和区） 可变电阻区 截止区 场效应管的应用小结 一是当作压控可变电阻，即非线性电阻来使用， VGS的绝对值越大，导电沟道就越窄，对应的导电沟道电阻越大，即电压VGS控制电阻的大小，管子工作在可变电阻区，当作压控可变电阻使用时，导电沟道还没有出现预夹断； 第三节 绝缘栅场效应管（IGFET)的结构和工作原理 二、 增强型MOS场效应管 一 N沟道增强型MOS场效应管结构 二 N沟道增强型MOS的工作原理 三 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 按照如下的思路来讲解： （1）电压源VGS和电压源VDS都不起作用，电压值均为0； （2）只有电压源VGS起作用，电压源VDS的电压值为0； （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0； （4）电压源VGS和电压源VDS同时起作用。 三、 耗尽型MOS场效应管 一 N沟道耗尽型MOS场效应管结构 二 N沟道耗尽型MOS的工作原理 三 N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 绝缘栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 P沟道增强型MOS场效应管结构 二、 N沟道增强型MOS的工作原理 在给出各种情况下的MOS场效应管的工作状态时，同时画出对应的输出特性曲线。 （1）电压源VGS和电压源VDS都不起作用，电压值均为0； 当VGS=0V ，VDS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结 （2）只有电压源VGS起作用，电压源VDS的电压值为0； （2.1） 当VDS=0V，VGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 （2.2） 当VDS=0V，当VGS=VT时，在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道 （2.3） 当VDS=0V，VGSVT时, 沟道加厚 开始时无导电沟道，当在VGS?VT时才形成沟道,这种类型的管子称为增强型MOS管 （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为大于开启电压的某值 （3.1）电压源VDS的值较小 导电沟道在靠近源极的一边较宽，导电沟道在靠近漏极的一边较窄，呈现楔型，此时导电沟道的电阻近似认为与平行等宽时的一样。对应特性曲线的可变电阻区 电压源VDS的作用使导电沟道有电流流通，电流的流通使导电沟道从漏极到源极有电位降 （3）只有电压源VDS起作用，电压源VGS的电压值为0 （3.2）电压源VDS的值增加使 VGD=VGS－VDS =VT 导电沟道在靠近漏极的一点刚开始出现夹断，称为预夹断。此时的漏极电流ID 基本饱和。 vDS(V) iD(mA) （3.3）电压源VDS的值增加使 VGD=VGS－VDS ＜VT 导电沟道夹断的区域向源极方向延伸，对应特性曲线的饱和区， VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。 vDS(V) iD(mA) 三、N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 增强型MOS管 iD=f(vGS)?vDS=C 转移特性曲线 iD=f(vDS)?vGS=C 输出特性曲线 vDS(V) iD(mA) 当vGS变化时，RON将随之变化，