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可控硅串联中频感应电源深入研究 　　摘要：串联逆变电源工作时，整流始终在全导通情况下工作，改变逆变回路输出功率是靠控制逆变触发脉冲频率来实现。且负载电流为正弦波，所以串联逆变电源不会有高次谐波严重污染电网，且功率因数高。 　　关键词：可控硅；串联逆变；触发延迟时间 　　1.引言 　　90年代我国工业飞速发展，大容量、高功率，低能耗的中频电炉越来越被人们所关注，尤其在铸造领域中，中频电炉能提供高质量的铁水和钢水，便于在熔化过程中控制温度和化学成份，因此近年大量引进国外制造的大容量可控硅中频电炉，已达数百台之多，几乎国内上规模的机械制造厂、机床厂、汽车制造厂的高端技术市场都被国外厂商占有。目前国内产品比较国外，在控制技术上，按装工艺上仍有相当差距。 　　我国电器工业经过多年的发展，目前安装大容量中频电炉元器件己具备相当条件，大电流耐高压可控硅，高压电热电容己能生产，满足需求。中频逆变电源的开关元件，目前有二种，可控硅SCR和绝缘栅双极型场效应晶体管IGBT，根据国外文献所载，大功率，较低频率（1 000Hz）的逆变电源，选用可控硅的关闭时间要求较低，TOT可以在5 0～60微秒级，这样硅片的厚度可以厚些，可控硅的耐压便可以提高，且可控硅的价格比IGBT低得多，而且工作稳定性和可靠性比IGBT高。目前世界上技术最先进、规模最大的美国应达电炉公司仍采用大功率可控硅组装。 　　IGBT特别适用于频率高，功率较小的变频加热设备，如小容量中频真空熔炼炉，工件表面淬火和小件透热等。目前国内200A以上的IGBT都需依赖进口，还受到出口国的限制，最大容量为800A/1 5 0 0V。组装大功率电源时，不得不把IGBT串联后再多组并联，对用户来说，元件损坏时就得长期依赖于设备制造厂商供应备件 　　2.串并电路的比较 　　国内外中频感应电炉主要有二种类型，并联逆变和串联逆变二类，过去由于我国不能生产高压谐振电热电容和大功率高压可控硅，所以普遍生产并联谐振型中频炉，现在由于近二年元器件在技术上已有所突破，所以一些电炉制厂商都竞相争雄开发串联型中频电炉。 　　并联逆变是电流型谐振。振荡回路中的电流I是电源供给电流i的Q倍。Q为回路品质因素，通常可达6以上，因此电流I在谐振回路内很大，负载线圈L，电容C，以及铜排内发热损耗很大。 　　串联逆变是电压型谐振。回路中的电流与电源供给的电流相等，而在电容C和负载线圈上的振荡电压为电源电压的Q倍，可高达2500VAC以上。由于谐振回路电流I等于通过可控硅的电源电流i。所以串联逆变较并联逆变回路中的电能损耗要小得多，因此串联逆变电炉电效率大大高于并联逆变电路。 　　3.一拖二工作原理 　　运行方式采用一拖二，一拖二即一套整流电源带动二套逆变装置运行，也可以任何一套逆变装置单独运行，供电给A炉或B炉，双供电一拖二功能，特别适用于中小铸件大批量连续生产运行，任意一台电炉高功率熔化作业，另一台炉体可保温或将冷料预热，功率按需任意分配，二台电炉的使用功率总和恒定不变，两台电炉连续交替熔化和保温浇铸，同时运行，可使电源始终在满功率下运行，以此提高电炉的熔化生产率。 　　4.桥式串联逆变器工作过程的分析 　　为便于分析串联逆变器的工作过程起见，我们可先从简化串联逆变器电路入手进行分析。SCR1～SCR4、D1～D4组成逆变桥臂，C为补偿电容器，L、R为负载的等值电感、电阻。这里，我们暂不考虑换向电抗器等其他元件的影响。串联逆变器要求接在恒压源上，所以在电源侧并有一组大容量的电容Cd。 　　当t=t0时，触发脉冲ug1、4触发可控硅SCR1、4，使可控硅SCR1和SCR4导通，工作电流ia从电源正极经SCR1→C、L、R→SCR4，回到电源负极，这时的工作状态实际上是C、L、R串联电路接通直流电源时的过渡过程。当R2■ 时，电路产生阻尼振荡。电流ia向电容C充电，当电容C上的电压充到电源电压Ud时，回路中电流ia达到最大值。由于电感的存在，电路中的电流不能突变，这时电感L上的感应电压使电流继续向电容充电。在t=t1时，电容C上的电压充到接近2Ud，电感上电压为1Ud，回路中电流ia为零，可控硅SCR1、4关断。 　　当tt1，电容C开始向电感L、电阻R及电源放电，电流ia的路径为D1→Cd→D4→R、L、C，流过负载回路的电流反向，当电容C上的电压等于Ud时，回路中电流ia达到负向最大值，电感电压为零，但由于电感中电流不能突变，电感上产生一个电感电压，使电流继续维持，电容C继续放电，直到电容电压接近于零。t1～t2段时间的波形，实际上就是串联谐振负半周的电流、电压波形。t=t2时，电流自然过零，D1、4关断，此时可控硅SCR1、4也已恢复正向阻断能力，第一个过渡过程结束了。t2～t3这段时间内回