核分析课件设计.docxVIP

用沟道效应定位晶体Si中杂质原子 技术原理： 沟道技术是利用带电粒子与单晶体的相互作用研究物质微观结构的一种分析技术。 在单晶休中，原子是有规则地排列的，晶格原子构成一系列的晶轴和晶面。带电粒子入射到单晶体上时，相互作用情况与入射到无定形样品时会很不一样。当沿着单晶体的一定方向入射时，出现新的物理现象，离子约运动受到晶轴或晶面原子势的控制。 当一束准直的正离子入射到单晶体靶上时，离子与靶原子之间相互作用几率，与离子的入射方向和单晶体晶轴或晶面间的相对取向有关。带电粒子与单晶体中的原子相互作用的这种强烈的方向效应就是沟道效应。 用沟道效应进行杂质原子定位研究的基本原理是:间隙原子和替位原子与离子束碰撞的几率在晶体不同取向时，有着不同的依赖关系，在不同晶轴方向进行测量，就可以定出其位置。下图是Si(110)面的原子排列图。图中用符号○表示基体晶格原子，分别用符号●、×、▲表示处于间隙位、替位、四面体中间位置的某种杂质原子。由图可以清楚看出，处于替位的杂质原子，入射束按100,110或111定向入射，都不能与之发生背散射等近距作用，只有在偏离晶轴方向入射时才会发生。对于处于间隙位的杂质原子，无论从什么方向入射，都能与之发生近距作用，没有方向性。处于四面体中间位置的杂质原子，分析束从111、100的方向入射时不能发现它，从110方向入射时可以发现它。从不同晶轴方向的测量，可以定量计算出杂质原子的替位率。 特征参数： 归一化产额的角分布半宽度（零点几度到几度）和归一化产额的极小值。 反映人射离子与晶格原子近距相互作用产额随着入射方向与晶轴7或晶面8夹角变化的角分布半宽度,它又可称为沟道坑一半宽度, 近距相互作用归一化产额极小值,用背散射作为近距相互作用事件时, 还有与定向谱归一化产额斜率相联系的沟道离子退道率和由晶体表面第一、二层面原子散射产生的表面峰产额等。用林德哈的连续模型可以确定这些参数。 处理方法：对晶格原子的一系列相关的小角度碰撞，采用连续弦和连续势概念来进行讨论。对轴沟道，把位于一直线的、间隔为d的许多晶格原子看作是串联在一根弦上。设想把晶格原子的电荷分割，并连续地、均匀地分布在这弦上，所产生的势就是平均势(或称连续势)。用平行于品轴的平均势来替代晶轴上实际存在着的周期性原子势。 可求得： ； 式中 ； 实验装置设计以及主要实验装置： 沟道技术的实验设备由4个基本部份组成： 产生准直离子束的加速器； 记录背散射粒子的探测器和数据处理系统； 能精确地调整晶体方位的定位装置（步进马达控制系统）。 实验几何条件选择： 入射离子束经准直后打到单晶样品上。晶体安装在一个可以调整角度的定角器上。 薄样品采用透射几何装置 在前向用探测器记录粒子。当入射束与晶轴(或晶面)方向一致时，产生沟道效应，透过的粒子数最多，在径迹探测器上得到星状图象，当用半导体位置灵敏探测器来记录粒子时，应采用很小的准直孔(0.1mm)使入射束强度尽量弱，以免探测器受损。 厚样品采用散射几何装置 在后向角度探测粒子。这些粒子可以是弹性散射粒子，也可以是核反应产生的各和粒子，以及入射束激发的X射线等。通常是测背散射粒子产额随入射束与晶轴(或晶面)夹角的变化。 晶轴定向手续： 已知晶轴方向的单晶样品装在定角器上后，需调节定角器角度才能确定晶轴的方位使晶轴方向与入射束方向完全一致，这种调节步骤称为定向。 1、单晶样品准备 沿某一晶面方向从晶柱上切割下一块一定厚度的单晶样品。样品的晶轴方向与样品切面的法线间夹角一般在几度范围内，切割得好，可控制在零点几度。然后对样品抛光、退火处理，装在定角器上。 2、随机谱测量 对于单晶靶的随机谱测量，总是将晶体倾斜一个角度，使主晶轴不与入射束对准。为了防止高密勒指数晶面的面沟道效应出现，应连续转动晶休(改变方位角)，转动速度视各种定角器结构而定。在测量随机谱的时间内，应尽量使样品多转几圈，这样可把而沟道效应平均掉。 3.定向手续 在做沟道实验时，首先要确定装在定角器上的单晶样品的晶轴方向，然后才能使晶轴与入射束方向一致。由于晶体的晶轴是由几组晶面相交而成，所以当入射束对准这些晶面时，会发生面沟道效应。测量这些面沟道dip曲线，就可以确定晶轴方向。 轴沟道dip曲线和定向谱测量 在晶轴方向与入射束方向基本一致时，对角扫描，就得到轴沟道dip曲线。 在晶轴方向与入射束方向完全一致时，测量到的背散射能谱，就是定向谱。 实验探测与测量装置： 半导体探测器 背散射测量装置 半导体探测器：探测记录散射粒子； 前置放大器：放大信号； 步进马达控制：样品安装在一个可以旋转角度的定角器上，可用步进马达控制转动； 束流积分仪：记录束流； 多道脉冲分析器：测量dip曲线； 描图仪：画出显示谱线。 干扰问题及处理