电力电子器件的应用.pptVIP

电力电子器件应用的共性问题 9.1 电力电子器件的驱动 9.2 电力电子器件的保护 9.3 电力电子器件的串联和并联使用 小结 电力电子器件器件的驱动 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述 9.1.2 晶闸管的触发电路 9.1.3 典型全控型器件的驱动电路 电力电子器件驱动电路概述 驱动电路——主电路与控制电路之间的接口 使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。 对器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现。 电力电子器件驱动电路概述 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。 ?光隔离一般采用光耦合器 ?磁隔离的元件通常是脉冲变压器 电力电子器件驱动电路概述 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。 驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。 双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。 9.1.2 晶闸管的触发电路 典型全控型器件的驱动电路 1) GTO GTO的开通控制与普通晶闸管相似，但对脉冲前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整个导通期间施加正门极电流。 使GTO关断需施加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高，关断后还应在门阴极施加约5V的负偏压以提高抗干扰能力（比普通晶闸管承受du/dt的能力差，若阳极电压上升率较高时会误触发。）。 典型全控型器件的驱动电路 GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。 直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿，因此目前应用较广，但其功耗大，效率较低。 典型全控型器件的驱动电路 典型的直接耦合式GTO驱动电路： 典型全控型器件的驱动电路 2) GTR 开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。 关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗，关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。 典型全控型器件的驱动电路 GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分 典型全控型器件的驱动电路 2. 电压驱动型器件的驱动电路 栅源间、栅射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V。 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取 -5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。 典型全控型器件的驱动电路 1) 电力MOSFET的一种驱动电路： 电气隔离和晶体管放大电路两部分 典型全控型器件的驱动电路 2) IGBT的驱动 ? 多采用专用的混合集成驱动器 电力电子器件器件的保护 9.2.1 过电压的产生及过电压保护 9.2.2 过电流保护 9.2.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 过电压的产生及过电压保护 电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压 外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因 (1) ? 操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起 (2) ? 雷击过电压：由雷击引起 内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程 (1) 换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断，因而有较大的反向电流流过，当恢复了阻断能力时，该反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压。 (2) 关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。 过电压的产生及过电压保护 过电压保护措施 过电压的产生及过电压保护 外因过电压抑制措施中，RC过电压抑制电路最为常见，典型联结方式见图9-11。 过电压的产生及过电压保护 大容量电力电子装置可采用图9-12所示的反向阻断式RC电路 过电流保护 过电流——过载和短路两种情况 常用措施（图9-13） 过电流保护 采用快速熔断器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。 选择快熔时应考虑： (1)电压等级根据熔断后快熔实际承受的电压确定。 (2)电流容量按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确