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变频器主电路常用的电力半导体器件 电力、电子器件 电力电子器件的概念和特征 电力电子电路的基础 —— 电力电子器件 概念: 电力电子器件（power electronic device）——可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件 主电路（main power circuit）——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路 广义上分为两类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管等电真空器件) 半导体器件 (采用的主要材料仍然是硅) GTR主要参数 开路阻断电压UCEO——基极开路时，集电极与发射极间能承受的持续电压。反映GTR的耐压能力 集电极最大持续电流ICM——当基极正向偏置时集电极能流入的最大电流。 开断阻断电压和集电极最大持续电流体现了GTR的容量 GTR主要参数 电流增益HFE——电流放大倍数。数值越大，管子驱动电路功率越小，则越好 开关频率——通过开通时间、存储时间、下降时间估算出GTR的最高工作频率。 GTR的选择方法 开路阻断电压UCEO选择方法——通常按电源线电压峰值2倍选择。 集电极电流最大电流ICM选择方法——按额定电流峰值的2倍进行选择 IGBT驱动电路 特点：驱动模块内装有2500V的高隔离电压的光耦合器，有过流保护和过电流保护端子。 智能电力模块器件IPM 智能电力模块器件（Intelligent power module）简称IPM 智能电力模块器件是将大功率开关器件和驱动电路、保护电路、检测电路等集成在同一个模块内。 IPM主要特点 内含驱动电路，设定了最佳的IGBT驱动条件 内含过电流保护（OC），任一个IGBT过电流均可受到保护 控制电源欠电源保护（UV），当控制电压小于规定值时进行欠电压保护。 内含过热保护（OH）在IGBT内部设有温度检测元件，当芯片因冲击电流过热时，输出结温过高信号 IPM主要特点 内含报警输出（ALM）该信号送给控制系统中的微型机，使系统停止工作。 散热效果好。 智能模块内部基本结构 IPM驱动控制要求 提供15V稳定的驱动电源（模块要求在13.5~16.5之间）和开关控制信号 具有良好的电气隔离性能； 信号传输延迟时间在0.5微秒以内并尽可能少 提供低电平控制相应IGBT导通，高电平关断 驱动电路简单可靠，体积小，成本低。 IGBT的主要参数 集电极——发射极额定电压UCES：栅极与发射极短路时，IGBT能承受的耐压。 栅极——发射极额定电压UGES：栅极控制信号的额定值 额定集电极电流：IGBT在导通时能流过管子的持续最大电流。 集电极——发射极饱和电压：此值越小，管子损耗越小。 开通时间和关断时间：与GTR的定义基本相同 绝缘栅双极晶体管 IGBT的特性和参数特点可以总结如下： 绝缘栅双极晶体管 (1)??开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有GTR的1/10，与电力MOSFET相当。 (2)?相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力。 (3)?? 通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。 (4)?? 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。 (5) 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 。 3. 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 晶闸管的派生器件 将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。 具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。 逆导晶闸管的额定电流有两个，一个是晶闸管电流，一个是反并联二极管的电流。 4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 晶闸管的派生器件 又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。 小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子。 大功率光控晶闸管则还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器。 光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。 门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代。 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅