半导体元件与体电路及无尘室生产车间详解.pptVIP

www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm 第一個電晶體, ATT貝爾實驗室 , 1947 第一個單晶鍺, 1952 第一個單晶矽, 1954 第一個積體電路元件, 德州儀器, 1958 第一個矽積體電路晶片, 費爾查德照相機公司, 1961 * * KLC风淋室/KLC过滤器/无尘室净化设备 * * 照片來源: ATT * * 約翰?巴定，威廉?肖克萊 和 華特?布萊登 照片來源: Lucent Technologies Inc. * * 照片來源: 德州儀器 * * 照片來源: Fairchild Semiconductor International * * 1964年哥登?摩爾(英特爾公司的共同創始人之一) 價格不變之下，電腦晶片上的元件數目，幾乎每12個月就增加一倍 1980年代減緩至每18個月 到目前仍屬正確，預期可以維持到2010年 * * Transistors 10K 100K 1M 10M 1975 1980 1985 1990 1995 4040 8080 8086 80286 80386 80486 Pentium Pentium III 1K 2000 * * 積體化層級 縮寫 晶片內的元件數目 小型積體電路(Small Scale Integration) SSI 2 ~ 50 中型積體電路(Medium Scale Integration) MSI 50 ~ 5,000 大型積體電路(Large Scale Integration) LSI 5,000 ~ 100,000 極大型積體電路(Very Large Scale Integration) VLSI 100,000 ~ 10,000,000 超大型積體電路(Ultra Large Scale Integration) ULSI 10,000,000 ~ 1,000,000,000 特大型積體電路(Super Large Scale Integration) SLSI 超過 1,000,000,000 * * 1995 1997 1999 2001 2004 2007 最小圖形尺寸(m m) 0.35 0.25 0.15 0.13 0.10 0.07 DRAM 位元數/晶片 位元的單位成本(千分之一美分) 64M 256M 1G 4G 16G 64G 0.017 0.007 0.003 0.001 0.0005 0.0002 微處理器 電晶體數目/cm2 電晶體的單位成本(千分之一美分) 4M 7M 13M 25M 50M 90M 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 ASIC 電晶體數目/cm2 電晶體的單位成本(千分之一美分) 2M 4M 7M 13M 25M 40M 0.3 0.1 0.05 0.03 0.02 0.01 晶圓尺寸 (mm) 200 200 200~300 300 300 300~400 * * 以0.35微米技術製造的晶粒 以0.25微米技術 以0.18微米技術 300 mm 200 mm 150 mm 晶片或晶粒 * * 超淺接面 下匣極 上匣極 源極 汲極 介電質 n + n + P型晶片 小於0.014 微米 匣極的寬度 照片來源: NEC Corporation * * 材料 設計 光罩 無塵室生產廠房 測試 封裝 最後測試 加熱 製程 微影製程 離子佈植與光阻剝除 金屬化 化學機械研磨 介電質沉積 晶圓 蝕刻與光阻剝除 低粒子數的人造環境 最初的無塵室是為了醫院手術房而建的 粒子是良率的殺手 積體電路製造必須在無塵室中進行 * * 最初的無塵室是為了醫院手術房而建的 1950年之後半導體工業採用本項技術 越小的圖形尺寸就需要純淨度更高的無塵室 粒子數越少，造價越高 * * 等級 10：每立方英尺內其直徑大於0.5微米的微粒數目必須小於10顆 等級 1 ：每立方英尺內其直徑大於0.5微米的微粒數目必須小於1顆 0.18 mm 元件需要高於等級1以上的無塵室 * * * * 0.1 1 10 100 1000 10000 100000 Class 100,000 Class 10,000 Class 1,000 Class 100 Class 10 Class 1 粒子總數 / 立方英尺 0.1 1.0 10 以微米為單位的粒子尺寸 Class M-1 * * ? 等級 粒子 / 立方英尺 0.1 mm 0.2 mm 0.3 mm 0.5 mm 5 mm M-1 9.8 2.12 0.865 0.28 ? 1 35 7.