半导体制程(4版)MiCroChip-FaBriCation第10章-先进微影.ppt

* 半導體製程(4版)Microchip Fabrication 第10章:先進的微影製程 Peter Van Zant 著姜庭隆 譯 李佩雯 校閱滄海書局中 華 民 國 90 年 11 月 28 日 摘要 滿足次微米製程尺寸:低缺陷密度、晶片密度增加的新方法 ? 雙層光阻製程 ? 雙嵌刻製程 ? 平坦化技術 ? 影像反轉製程 ? 抗反射層、對比強化層、光阻染色添加劑 ? 光罩保護膜 極大型及超大型積體電路圖案成形的關鍵 中型/簡單的大型積體電路 基本製程:用一層光阻 製程尺寸:微米到3微米 極大型和超大型積體電路 先進的微影製程:雙/多層光阻 製程尺寸:次微米 次微米製程涉及的問題 -光學式曝光設備的性能極限 -光阻的解析能力限制 光波前(wavefront)輻射由不同方向/能量混合， 穿過光阻時方向和能量都改變 -平面問題：表面反光、多層的幾何形狀 光學解析度的控制 改善曝光光源 ? 解析比光波長短/小的影像困難 ? 光阻僅對特定高能波峰產生反應 波長短(窄)的優點 1. 能量高,曝光時間短 2. 繞射(diffraction)減少 3. 散射(scattering)減少 圖10.3 繞射造成影像 在光阻上縮小 圖10.4 光在光阻膜上的散射 紫外線及深紫外線 曝光機光源:高壓水銀燈 -紫外光(UV)波長 365奈米(I線) 、405奈米(H線) 、436奈米(G線) -中紫外光(midUV)波長:313奈米 -深紫外光(DUV)波長:254奈米 激能氣體雷射(excimer lasers) 波長：XeF(351奈米)、XeCl(308奈米)、RF(248奈米)、AF(193奈米) 聚焦的離子束 優點 -離子束散射少，影像可以小且清晰 -離子束能量比電子高，曝光更快 X光 優點(波長短,4至50埃) -沒有繞射,產生極小影像(0.1微米) -曝光時間短 -反射和散射現象極少 -聚焦深度(景深)問題少 -塵粒造成缺陷少:X光穿透顆粒 量產級X光曝光機的問題 -X光穿透光罩玻璃及鉻:黃金 -X光破壞縮影的光學透鏡:影像1:1 -光阻:對X光敏感且抵抗蝕刻 X光的光源 ? 標準X光管 ? 雷射激發源:點源/同步粒子加速器(synchrotron) 圖10.5 　X光曝光機系統 電子射束(e-beam) 生產高品質單像/多像光罩的成熟技術 優點(不需光罩) 直接寫入法 (direct writing) -無來自於光罩的缺陷 (繞射造成影像扭曲) -解析度高 -省去昂貴的光罩 圖案曝光法 全區掃描法(raster scanning) 向量掃描法(vector scanning) 缺點：太慢且太貴 ?設備太貴:每套數百萬美元 ?速度緩慢：必須在真空中曝光 腔室內抽真空需要時間 圖10.7 電子束掃描方式 (a) 全區掃描 (b) 向量掃描 圖10.6 電子束曝光系統 和曝光相關的其他事項 曝光小影像:用波長較短的光源 問題:景深(depth of field, DOF)較淺 解決方法:可變數值光圈鏡、圓環式照明、偏軸照明、相位偏移光罩 透鏡的數值光圈(numerical aperture) ?????NA ? =可得的最小製程尺寸 ? = Raleigh常數，透鏡區分兩個鄰近影像的能力 ? =曝光光線的波長 NA=透鏡的數值光圈,透鏡聚光的能力 波長?變短:利用深紫外光、X光或電子射束 增加NA的限制 -高聚光能力(NA高)透鏡其景深較淺(短) -視野(field of views)變窄 可變數值光圈透鏡 先進的晶片有多層，表面高低不同，故需較高景深 偏軸照明將曝光光束方向偏移垂直方位，可破壞駐波 對比(反差contrast)效應 光罩上的不透明線若被大片的透明區域環繞，該線的解析度困難 近接效應(proximity effect) 光線在圖案的邊緣產生繞射現象 主體對比(subject contrast) 光線穿透光罩不透明區，或光由晶圓表面反射至光阻內， 造成不該曝光區局部曝光，顯影的影像扭曲 圖10.8 　近接效應 圖10.9 　主體對比效應 相位偏移光罩(Phase Shift Mask,PSM) 避免因繞射現象而使兩個圖案消失的方法 -用透明材料(二氧化矽)將光罩圖案間的開孔塗住， 使入射光的相位偏移，