内绝缘新型MSFET的介绍.pptVIP

* 深圳市锐骏半导体有限公司 新型内绝缘MOSFET TO-220S封装介绍 传统TO-220 MOSFET遇到的挑战 传统半包封TO-220的的漏极与其背部散热片直接相连接 当半包封TO-220 MOSFET需要加散热片散热使用时，特别是不同作用的MOSFET共用一个散热片时，需要做绝缘，加绝缘片和绝缘粒 绝缘片和绝缘粒主要有以下几个缺点 绝缘片和绝缘粒产生额外的材料成本，管理成本和生产成本 生产装配麻烦，生产效率较低 绝缘粒在MOSFET高温运行时，容易老化、变形，最终导致MOSFET与散热片松动，散热效果降低，绝缘性能下降（极端情况下可能会发生不绝缘的情况） 生产装配时，容易损坏绝缘粒（绝缘粒破裂或者变形），最终导致MOSFET的散热效果降低，绝缘性能下降 工厂生产时，通常会做绝缘耐压测试，绝缘耐压测试容易损坏MOSFET，造成MOSFET隐性损坏（栅极损伤），造成潜在可靠性失效问题 全包封TO-220可以达到绝缘效果，但散热效果较差 解决方案–TO-220S 锐骏半导体通过不断的研究创新，研发出新型的内绝缘MOSFET–TO-220S封装 TO-220S – 内绝缘MOSFET：就是使用特殊的封装工艺将承载芯片的框架与MOS管背部散热片相互隔离的一种新型封装，最终目的是将MOS管的漏极与其背部散热片之间达到电气隔离 目前锐骏推出的TO-220S封装的绝缘耐压等级为高