现代半导体器件物理跟工艺.pptVIP

迅达商务资料网 晶体生长与外延 CZ法生长单晶硅－起始材料 Cz直拉法 掺杂物质的分布 有效分凝系数 悬浮区熔法 砷化镓晶体的生长技术－起始材料 砷化镓生长工艺 布理吉曼法 材料特性－晶片切割 晶体特性－晶体缺陷 材料特性 晶体外延 外延层的构造和缺陷－晶格匹配及形变层外延 外延层缺陷 迅达商务资料网 点缺陷－替代、填隙、空位和弗兰克尔缺陷。 迅达商务资料网 线缺陷，亦称位错－刃形和螺旋。 迅达商务资料网 面缺陷－孪晶和晶粒间界。 反映孪晶 旋转孪晶 小角度晶界 迅达商务资料网 体缺陷－杂质或掺杂原子的析出现象。这些缺陷的产生是由在主晶格中 的固溶度引起的。 迅达商务资料网 迅达商务资料网 另外，因固溶度造成析出的氧，可利用来吸杂。吸杂－指从晶片上制造器件的区域除去有害杂质或缺陷的过程。当晶片受高温处理，氧会从表面挥发，造成表面附近有较低的氧含量，形成了无缺陷区，用于制造器件。 迅达商务资料网 外延是在单晶上生长一层同质或异质的薄膜层。衬底晶片可以作为晶体籽 晶，与先前描述的单晶生长不同在于外延生长温度低于熔点许多（30~50 %），常见的外延工艺有：CVD和MBE。 化学气相沉积（CVD）也称为气相外延（Vapor－phase epitaxy，VPE） 是通过气体化合物间的化学作用而形成外延层的工艺，CVD工艺包括常 压（APCVD）和低压（LPCVD）。 迅