现代集成电路制造工艺原理-第十一节.pptVIP

现代集成电路制造工艺原理 山东大学 信息科学与工程学院 王晓鲲 第十一章 淀积 膜淀积 化学气相淀积 CVD淀积系统 介质及其性能 旋涂绝缘介质 外延 薄膜特性 好的台阶覆盖能力 填充高的深宽比间隙的能力 好的厚度均匀性 高纯度和高密度 受控制的化学计量 高度的结构完整性和低的膜应力 好的电学特性 对衬底材料或下层膜好的粘附性 膜对台阶的覆盖 我们期望薄膜在硅片表面上厚度一致。如果淀积的膜在台阶上过度的变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的诱生电荷。 高的深宽比间隙 淀积工艺对于高的深宽比的间隙可以进行均匀、无空洞的填充。 厚度均匀性，膜纯度和密度 厚度均匀性 材料的电阻会随膜厚度的变化而变化 膜层越薄，就会有更多的缺陷，会导致膜本身的机械强度降低 膜纯度和密度 膜中没有会影响膜质量的化学元素或者原子 膜密度显示膜层中针孔和空洞的多少 化学剂量分析，膜的结构，膜的粘附性 化学剂量分析 理想的膜要有均匀的组成成分。 膜的结构 膜中晶粒大小变化，膜的电学和机械学特性会变化，将影响膜的长期可靠性。 膜的粘附性 为了避免薄膜分层和开裂，薄膜对衬底材料要有好的粘附性。 薄膜生长 淀积膜的三个阶段 晶核形成 聚集成束 形成连续的膜 淀积的膜可以是无定形、多晶的或者单晶的 膜淀积技术 化学工艺 化学气相淀积 电镀 物理工艺 物理气相淀积 蒸发 旋涂方法 化学气相淀积（