半导体工艺实实验指导书.docVIP

PAGE 3 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u HYPERLINK \l _Toc177228101 目录 PAGEREF _Toc177228101 \h 1 HYPERLINK \l _Toc177228102 前言 PAGEREF _Toc177228102 \h 2 HYPERLINK \l _Toc177228103 原理篇 PAGEREF _Toc177228103 \h 3 HYPERLINK \l _Toc177228104 氧化 PAGEREF _Toc177228104 \h 5 HYPERLINK \l _Toc177228105 扩散 PAGEREF _Toc177228105 \h 7 HYPERLINK \l _Toc177228106 光刻和刻蚀 PAGEREF _Toc177228106 \h 10 HYPERLINK \l _Toc177228107 薄膜淀积 PAGEREF _Toc177228107 \h 14 HYPERLINK \l _Toc177228108 操作篇 PAGEREF _Toc177228108 \h 16 HYPERLINK \l _Toc177228109 半导体工艺操作注意事项 PAGEREF _Toc177228109 \h 16 HYPERLINK \l _Toc177228110 实验设备、仪器和使用工具清单 PAGEREF _Toc177228110 \h 18 HYPERLINK \l _Toc177228111 NPN双极性晶体管制备工艺流程卡 PAGEREF _Toc177228111 \h 19 HYPERLINK \l _Toc177228112 具体工艺条件和操作方法 PAGEREF _Toc177228112 \h 20 HYPERLINK \l _Toc177228113 设备篇 PAGEREF _Toc177228113 \h 23 HYPERLINK \l _Toc177228114 氧化扩散炉 PAGEREF _Toc177228114 \h 23 HYPERLINK \l _Toc177228115 光刻机 PAGEREF _Toc177228115 \h 26 HYPERLINK \l _Toc177228116 真空镀膜机 PAGEREF _Toc177228116 \h 33 HYPERLINK \l _Toc177228117 微控四探针测试仪 PAGEREF _Toc177228117 \h 35 HYPERLINK \l _Toc177228118 结深测试仪 PAGEREF _Toc177228118 \h 40 HYPERLINK \l _Toc177228119 晶体管测试仪 PAGEREF _Toc177228119 \h 46 HYPERLINK \l _Toc177228120 成绩评定方法 PAGEREF _Toc177228120 \h 48 前言 硅平面制造工艺是当代晶体管与集成电路制造的主要工艺方式。 半导体工艺实习是电子科学与技术专业本科生必修的专业实验课程，通过实际操作硅平面工艺的多个基本步骤，掌握硅晶体管平面制造工艺过程的细节和所涉及到的原理和基本理论。熟悉常规双极性晶体管和典型的集成电路平面制造工艺的全过程，了解集成电路设计时应考虑的工艺条件限制。 本实验指导书以电子科学与技术微电子工艺实验室的设备和实验条件为硬件基础，给出双极性NPN晶体管的制备工艺流程，包括基本工艺原理，使用的设备介绍，具体的工艺流程和详细的工艺条件、操作方法及测试检测方法等。 半导体工艺实习涉及很多实实在在的操作，受各种环境条件，外部因素的影响较多，本实验指导书仅能给出工艺步骤的原理和普遍现象，在实际操作中遇到的实际问题还要具体分析找到解决方法。另外，由于作者对半导体工艺原理的理解和工艺步骤地具体操作不尽深刻和熟稔，指导书中有不妥甚或有错误的地方，还请批评指正。 在这感谢工艺实习基地的董利民老师，袁颖老师，胡晓玲老师和实验室其他多位老师的帮助和提供的文献资料。 实习基地建设教师 谢红云 2007.8 原理篇 图1.1是PNP晶体管和NPN晶体管的结构示意图。 图1.1 PNP晶体三极管和NPN晶体三极管 以NPN晶体管为例，由晶体管的放大原理可知，若要晶体管正常工作需满足以下2点： 1.发射区(N区)的电子