常见工艺中各种器件地结构.docVIP

第2章 CMOS工艺中的器件结构 引言 本章是为非“电科”专业学生而写。在“设计与制造分离”的背景下，集成电路设计者是在厂家提供的“开发套件”（PDK）的基础上工作的，不需要从物理学开始学习器件的实现机理和制造细节。但为了学习版图设计，需要了解典型器件的结构。目前常见的集成电路工艺有以下几种：标准CMOS，也称逻辑CMOS工艺，是最基本的一种，一般只提供NMOS管和PMOS管两种晶体管和少量的电阻、电容等器件，主要用于实现纯粹的数字电路。混合信号CMOS工艺稍复杂一些，除基本MOS管外，至少还有一种衬底接地的PNP型晶体管和质量较高的电阻和电容。混合信号CMOS工艺可以实现基于CMOS技术的模拟电路。BiCMOS工艺比混合信号CMOS工艺还要复杂，其特征是支持垂直结构的NPN管和横向PNP管。BCD工艺更为复杂，除上述器件外，还要支持若干种高压DMOS管。以下简单介绍常见器件的物理结构，以便理解其版图设计方法和设计规则。 2.集成电路工艺简介 集成电路的制造过程与印刷技术比较相似，是一层一层地反复进行的，每次都是挡住一部分，处理另一部分。每次处理之前，一般先生成一个绝缘的氧化层，使下面的东西与外界隔离。如果需要处理某些局部区域，就在该区域“刻掉”氧化层。实现的方法是首先在氧化层上涂一层光刻胶，在利用“掩摸板”进行有选择地光照。如果使用的是“正胶”，被光着过的部分在显影后被去掉了，下