- 1、本文档共9页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
半导体硅片的化学清洗技术
一. 硅片的化学清洗工艺原理 硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类: A. 有机杂质沾污: 可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。 B. 颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。 C. 金属离子沾污:必须采用化学的方法才能清洗其沾污,硅片表面金属杂质沾污有两大类: a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污,一般可按下述办法进行清洗去除沾污。 a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 b. 用无害的小直径强正离子(如H+)来替代吸附在硅片表面的金属离子,使之溶解于清洗液中。 c. 用大量去离水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。 自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用,1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如 :⑴ 美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。⑵ 美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术。⑶ 美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例Goldfinger Mach2清洗系统)。⑷ 美国SSEC公司的双面檫洗技术(例M3304 DSS清洗系统)。 ⑸ 日本提出无药液的电介离子水清洗技术(用电介超纯离子水清洗)使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。⑹ 以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。 目前常用H2O2作强氧化剂,选用HCL作为H+的来源用于清除金属离子。 SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液,通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用,使有机物沾污变成水溶性化合物,随去离子水的冲洗而被排除。 由于溶液具有强氧化性和络合性,能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其变成高价离子,然后进一步与碱作用,生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。 为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污,亦能去除某些金属沾污。 SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液,它具有极强的氧化性和络合性,能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。 在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。二. RCA清洗技术 传统的RCA清洗技术:所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统 清洗工序: SC-1 → DHF → SC-2 1. SC-1清洗去除颗粒:⑴ 目的:主要是去除颗粒沾污(粒子)也能去除部分金属杂质。⑵ 去除颗粒的原理: 硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜(约6nm呈亲水性),该氧化膜又被NH4OH腐蚀,腐蚀后立即又发生氧化,氧化和腐蚀反复进行,因此附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。① 自然氧化膜约0.6nm厚,其与NH4OH、H2O2浓度及清洗液温度无关。② SiO2的腐蚀速度,随NH4OH的浓度升高而加快,其与H2O2的浓度无关。③ Si的腐蚀速度,随NH4OH的浓度升高而快,当到达某一浓度后为一定值,H2O2浓度越高这一值越小。④ NH4OH促进腐蚀,H2O2阻碍腐蚀。⑤ 若H2O2的浓度一定,NH4OH浓度越低,颗粒去除率也越低,如果同时降低H2O2浓度,可抑制颗粒的去除率的下降。⑥ 随着清洗洗液温度升高,颗粒去除率也提高,在一定温度下可达最大值。⑦ 颗粒去除率与硅片表面腐蚀量有关,为确保颗粒的去除要有一 定量以上的腐蚀。⑧ 超声波清洗时,由于空洞现象,只能去除 ≥ 0.4 μm 颗粒。兆声清洗时,由于0.8Mhz的加速度作用,能去除 ≥ 0.2 μm 颗粒,即使液温下降到40℃也能得到与80℃超声清洗去除颗粒的效果,而且又可避免超声洗晶片产生损伤。⑨ 在清洗液中,硅表面为负电位,有些颗粒也为负电位,由于两者的电的排斥力作用,可防止粒子向晶片表面吸附,但也有部分粒子表面是正电位,由于两者电的吸引力作用,粒子易向晶片表面吸附。 ⑶. 去除金属杂质的原理:① 由于硅表面的氧化和腐蚀作用,硅片表面的金属杂质,将随腐蚀层而进入清洗液中,并随去离子水的冲洗而被排除。② 由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应,生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如:
您可能关注的文档
- 经管工程测量教案(完整).doc
- 计算机辅助建筑的设计概论CAAD概论.ppt
- 陈运起研究员:大葱周年栽培的理论和实践.ppt
- 海洋大气环境的应用.ppt
- 生化工程总结新学习.doc
- 建设信息模型BIM简介.pdf
- 基础工程学234.pdf
- 基本建设知识520.doc
- 建筑设备安装的技术.ppt
- 模型的方案制作书.ppt
- 河北省石家庄市长安区2023-2024学年四年级下学期期末语文试卷(含答案).pdf
- 福建省福州市仓山区时代华威中学2024-2025学年九年级上学期开学考试数学试卷(含不完整答案).pdf
- 第一单元 小数乘法 单元测试 2024-2025学年五年级上册数学西师大版(含答案).pdf
- 2023年秋季人教部编版二年级上册语文试题-期中试卷(含答案).pdf
- 2024年河北省邢台市威县小升初数学试卷(含答案).pdf
- (生物)2024年秋绵阳市安州区八年级开学考试.pdf
- 部编版六年级语文上册期中试卷(有答案).pdf
- 福建省漳州市长泰区2023-2024学年九年级上学期期中练习英语试题(含答案及听力原文,无音频).pdf
- 第一单元分数乘法 单元测试 2024-2025学年六年级上册数学西师大版(含答案) (1).pdf
- 广东省肇庆市2023-2024学年部编版七年级下学期期末历史试题(含答案).pdf
最近下载
- u校园新视野大学英语听说教程2答案第三版u7.pdf VIP
- 右心功能ppt课件.pptx
- 成人住院患者跌倒风险评估及预防试卷.docx
- GB∕T 786.1-2021 流体传动系统及元件 图形符号和回路图 第1部分:图形符号(2-2).pdf
- Q_320116NJSJ054-2019柠檬酸钾企业标准.pdf
- 父母是儿童成长的第一任教师.ppt
- 核心素养下培养小学生量感的策略.docx
- Intel英特尔白皮书针对工业的 5G 的 TSN 实践.pdf
- 0452会议记录-会议纪要表格模板5篇.docx VIP
- 2023年江苏省淮安市清江浦区融媒体中心招聘编外15人考前自测高频考点模拟试题(共500题)含答案详解.docx
文档评论(0)