原创力文档用激光干涉仪测量地壳应变
造可能由于液体硅中增加的扩散速率而获
低铜浓度的非常简便的方法。 经脉冲激光照
益。 诸如碑化嫁之类的化合物半导体器件的
射后铁大量迁移到样品表面的现象也被观察
激光退火可能是避免半导体在退火中分解的
到了。 对于在硅中分凝系数低的别的杂质看
一种有希望的方法。 在一平面基质上的局部
来也将会发现类似的结果。
、
化退火是一种潜在的非常重要的应用，利用
结论
调 Q Nd:YAG 激光40 微米直径的光束已经
文档评论（0）