基于s3c2410嵌入式系统硬件结构的设计.pptVIP

Part 5 基于S3C2410的硬件系统设计(一);5.1 S3C2410X概述;5.1 S3C2410X概述;;;;;芯片体系结构;三、引脚信号 S3C微控制器是272-FBGA封装。 其信号可以分成: addr0---addr26、 Data0---data31、 GPA0---GPA22 GPB10、GPC15、 GPD15、GPE15、 GPF7、GPG15、 GPH10、EINT23、 nGCS0—nGCS7、 AIN7、IIC、SPI、 OM0---OM3 等，大部分都是复用的;5.2 S3C2410X的存储器;ARM9 内核;;13; 二、存储器的控制寄存器 内存控制器为访问外部存储空间提供存储器控制信号， S3C2410X存储器控制器共有13个寄存器。; 1、总线宽度和等待控制寄存器 back;Tacs：设置nGCSn有效前地址的建立时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟周期 Tcos：设置nOE有效前片选信号的建立时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟周期 Tacc：访问周期 000：1个；001：2个；010：3个；011：4个时钟 100：6个：101：8个；110：10个；111：14个;Tcoh：nOE无效后片选信号的保持时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟 Tcah： nGCSn无效后地址信号的保持时间 00：0个；01：1个；10：2个；11：4个时钟 Tacp：页模式的访问周期 00：2个；01：3个；10：4个；11：6个时钟 PMC：页模式的配置，每次读写的数据数 00：1个；01：4个；10：8个；11：16个 注：00为通常模式。 注：紫色为某实验箱上的配置，其值为0x0700;;;Refresh_count：刷新计数器值 计算公式： 刷新周期=（211- Refresh_count+1）/HCLK 例子：设刷新周期=15.6μs，HCLK=60MHz 则 刷新计数器值=211+1-60×15.6=1113 1113=0x459=0b10001011001;;BK76MAP：控制BANK6/7的大小及映射 100：2MB； 101：4MB； 110：8MB 111：16MB； 000：32MB； 001：64MB 010：128MB;;;；Tacc [10:8] 存取周期 110 = 10 clocks 111 = 14 clocks;5.2.2 Flash;(1) 接口差别 NOR型FLASH采用的是SRAM接口，提供有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其片内的每一个字节； NAND型FLASH使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。通常是采用8个引脚来传送控制、地址和数据信息。 (2) 读写的基本单位 NOR型FLASH操作是以“字”为基本单位； NAND型FLASH操作是以“页面”为基本单位，页的大小??般为512字节。 (3) 性能比较 NOR型FLASH的地址线和数据线是分开的，传输效率很高，程序可以在芯片内执行。NOR型的读速度比NAND型稍快一些； NAND型的写入速度比NOR型快很多(由于NAND型读写的基本单位为“页面”，所以对于小量数据的写入，总体速度要比NOR型慢)；;(4) 容量和成本 NAND型FLASH具有极高的单元密度，容量可以做得比较大，加上其生产过程更为简单，价格也就相应地降低了。 NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。 (5) 软件支持 在NOR型FLASH上运行代码不需要任何的软件支持，而在NAND型FLASH上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序MTD (Memory Technology Drivers)。NAND型和NOR型FLASH在进行写入和擦除操作时都需要MTD(说明，MTD已集成在FLASH芯片内部，它是对FLASH进行操作的接口)。 ; 这里以SST39VF160为例，介绍NOR型FLASH存储器的结构及操作。 SST39VF160是SST公司的CMOS多功能FLASH（MPF）器件，存储容量为2M字节，16位数据宽度(即一个字为2字节)，工作电压为2.7～3.6V。SST39VF160由SST