在低频电路中采用集中参数LC谐振回路来储.PDFVIP

§3.4 微波谐振器 在低频电路中采用集中参数的LC谐振回路来储 能和选频的。随着频率的升高,辐射损耗导体损耗以 及介质损耗都会急剧增加,使谐振回路的品质因素大 大降低,选频特性变差;随着频率的升高电感量L和电 容量C将愈来愈小,体积也愈来愈小,致使电感器和电 容器的制作困难机械强度变差易击穿,并使振荡功率 变小。因此集中参数的LC谐振回路不能用在微波波 段作储能和选频元件。 STE_A.J.YUE 西安电子科技大学通信工程学院 1 为了克服上述缺点,必须采用封闭形的微波谐振器 (又称谐振腔)来作储能和选频元件。这种谐振器可以定 性看成是由集中参数LC谐振回路演变而来的,如图所示。 为了提高谐振回路的谐振频率，必须减少L和C的数 值。减少电容量C的办法是将电容器的两极板板间距拉开； 减少电感量L 的办法是将线圈匝数减少，直至线圈变为一 直线。欲使频率进一步提高，可采用多根直导线并联，甚 至在极限情况下，可用一个封闭面来代替，这样就构成一 个圆柱谐振器或矩形谐振器。 STE_A.J.YUE