02-微电子芯片技术.pptVIP

信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.1 衬底材料/硅 半导体最主要的衬底材料就是硅 包括集成电路在内的半导体器件绝大部分是制作在硅材料上的，所以半导体最主要的衬底材料就是硅。现在集成电路已经发展到超大规模时代，需要进一步提高芯片的集成度和运行速度，而现有的硅材料和工艺正接近它们的物理极限，因而必须在硅材料和工艺上实现新的突破。 Si、GaAs、InP等半导体单晶材料向着大尺寸、高均质、晶格高完整性方向发展。 Si 12英吋芯片已开始普及；GaAs芯片4英吋已进入大批量生产阶段，并且正在向6英吋生产线过渡。对单晶电阻率的均匀性、杂质含量、微缺陷、位错密度、芯片平整度、表面洁净度等都提出了更加苛刻的要求。 氮化物半导体GaN 宽带隙 高的热稳定性 高的化学稳定性 较高的热导率 高的电子迁移率 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.1 衬底材料/氮化物半导体GaN 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.2 衬底材料/绝缘层上的硅SOI 是指在普通单晶硅片里添加一层二氧化硅绝缘层，用于隔离晶体管，以减少漏电现象，提高集成电路的运行速度，降低功耗。 作为结构材料，SOI材料被广泛应用于光通信器件、MEMS器件及传感器工艺中。 　 现今国际上通行的SOI材料主流制备方法是注氧隔离(SIMOX)和智能剥离(Smart-cut)。 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.2 衬底材料/ SOI(绝缘衬底上的硅)技术 Silicon-On-Insulator 完全实现了介质隔离, 彻底消除了体硅CMOS集成电路中的寄生闩锁效应。 速度高。 集成密度高。 工艺简单。 减小了热载流子效应。 短沟道效应小,特别适合于小尺寸器件。 体效应小、寄生电容小，特别适合于低压器件。 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.2 衬底材料/ SOI技术：优点 SOI材料价格高。 衬底浮置。 表层硅膜质量及其界面质量难以控制。 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.2 衬底材料/ SOI技术：缺点 AMD在IBM的帮助下，首先在SOI技术上取得成功。 SOI联盟成立于2007年10月，致力于加速SOI技术的开发和普及，成员包括SOI技术发明者IBM，以及诸多半导体业界巨头，诸如AMD、ARM、特许半导体、飞思卡尔、三星、意法半导体、台积电、联电等等。 不过Intel一直对SOI技术不太感兴趣，也没有加盟。 在硅衬底之上，生成一层其原子大于硅的锗晶体。这种硅锗结构提高了电子空穴的迁移速度，相应增大了晶体管的电流驱动能力。 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.2 衬底材料/应变硅SOI Si a = 5.4309? Ge a = 5.6575? 原理是加大栅极下沟道处的硅原子的间距，减小电子通行所受到的阻碍，这样一来半导体器件发热量和能耗都会降低，而运行速度则得以提升。 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.3 栅结构材料 栅结构是CMOS中最重要的结构之一。它包括栅绝缘介质层和栅电极。 场区：硅片上不制作器件的区域（除栅区和有源区之外的区域）。 有源区：直接从外部接收和向外部送出电信号的区域（指MOS管的源区和漏区）。 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.3 栅结构材料/栅绝缘介质 致密且缺陷少。 漏电流小。 抗击穿强度高。 稳定性好。 与器件基底材料有良好的界面特性。 界面态密度低。 阻挡离子注入与扩散，作为罩具(Mask)； 保护芯片表面： 钝化（passivation）； 元件之间的隔离： isolation； 元件栅极的绝缘层: gate oxidation； 电容的介质层：dielectric； 多层金属连线间的绝缘。 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.3 栅结构材料/SiO2在集成电路中的功能与应用 Si基电介质（SiO2,Si3N4,SiOxNy等）广泛用于Si集成电路和所有其它半导体器件。 信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.3 栅结构材料/栅绝缘介质 器件尺寸缩小，导致短沟道效应 。 〉〉多晶硅栅极由单掺杂发展为双掺杂 。 带来pMOS中B的渗透问题 。 〉〉SiNxOy能有效克服。较大介电常数，低漏电密度和高抗老化击穿。 器件尺寸进一步缩小，导致栅绝缘介质隧穿电流的出现。 〉〉高K栅介质材料以增加栅介质厚度。 出现的问题 〉〉解决方法 传统的栅结构