AuBe腐操作培训.pptxVIP

前工生技—唐世伟;AuBe腐蚀操作讲解;金属腐蚀工艺是LED晶片制作工艺中的重要工艺，它的特性直接影响金属薄膜的图形相貌，甚至影响整个晶片的光电性能。因此，这对腐蚀工艺也提出了越来越高的要求。 本文以生产实际为基础，给出了（大尺寸晶片）Au薄膜的腐蚀方法，并对其存在的问题进行分析，使用更合理的腐蚀手法，以进一步提高金属腐蚀质量。;我公司加工制造的晶片尺寸有以下三种： 2 inch（英寸） 3 inch（英寸） 4 inch（英寸） 注：前面所提到的大尺寸晶片指的是3 inch和4 inch晶片。;单层金属腐蚀 多层金属腐蚀;顾名思义，就是一种性质的单质金属使用一种化学溶液进行腐蚀，无化学溶液交叉腐蚀。 根据我公司生产实际情况，蒸镀P面有三层薄膜。即：Au、AuBe、Au。这三层薄膜包含了两种金属，单质金和（金铍）合金，但在腐蚀过程中，我们只使用KI一种化学溶液即可把这三层薄膜（两类金属）腐蚀到位。因此，我们在腐蚀P面时可以理解它是单层金属腐蚀。;根据对以上单层金属腐蚀的讲解，多层金属腐蚀这个概念不会难倒大家。即两种或以上性质的单质金属使用两种或以上的化学溶液进行腐蚀，存在化学溶液交叉腐蚀。 根据我公司生产实际情况，蒸镀加厚层有两层薄膜（Ti/Au或Ti/Al）。但无论是哪一种，都无法用一种化学溶液把两层薄膜（两种金属）腐蚀到位，需使用到不同的化学溶液。;大尺寸晶片各个区域金属腐蚀程度相差过大 侧向腐蚀及钻刻现象严重 造成电极掀起、电极缩小严重、电极变形等异常现象 ;镀膜 匀胶 坚膜 ;金属镀膜工艺，直接决定了薄膜金属层结构、质量好坏。镀膜时的速率、功率、真空度、基片温度等都会对膜层的致密性、导热性、均匀性等产生影响，而这些特性又会影响腐蚀工艺，致使膜层的腐蚀速率、腐蚀均匀性等发生变化。 从腐蚀工艺角度看蒸镀金属膜层，应重点注意以下几方面：;1) 膜层与基片及膜层间的匹配性，这会影响膜层的附着力，造成腐蚀时膜层容易脱落。 2) 复合膜层的整体厚度及单层厚度，这些厚度如果选择不好会在腐蚀时产生严重的侧向钻蚀和膜层脱落现象。 3) 各种金属的热膨胀系数及应力会导致膜层在腐蚀时是附着良好，还是翘起、鼓起。 4) 整体工艺的一致性和可操作性。;我们使用的光刻胶对环境温度、湿度要求较高，一般温度在23摄氏度以下及相对湿度在55 %以下才可以使用。结合生产过程中我们发现，相对湿度在45 %±5 之间比较好。匀胶后常出现的问题是针孔较多，针孔形成的原因较复杂，主要原因有以下几方面：;1) 车间洁净度及环境温度、湿度 2) 胶质量差，胶内本身含有气泡 3) 基板匀胶前被污染 4) 匀胶设备状态 5) 溅射金属膜层较差，有“瘤状”物等 注：在针孔产生后就会对后面的金属腐蚀工艺造成钻蚀，使金属表面出现腐蚀凹槽，甚至穿孔。;坚膜的作用是把膨胀后的胶膜图形中的显影液和水分蒸发掉，使图形恢复原来尺寸，并使光刻胶进一步胶联，抗蚀性增强，同时也增强了胶与金属膜层的粘附。坚膜时应控制好温度和时间，温度太低，时间过短则胶膜没有烘透，胶膜就不坚固，腐蚀时容易发生脱胶。若坚膜时间过长，温度过高，则胶膜因热膨胀而产生翘曲变形和脱离，腐蚀时也容易产生钻蚀或脱胶、浮胶。;我公司在金属腐蚀时所用的是铁氟龙花篮，根据腐蚀不同尺寸晶片，铁氟龙花篮又分为环型和条状型。腐蚀大尺寸晶片时，使用的则是条状型（本文只讲述条状型）。 以下为（条状型）铁氟龙花篮样貌图;手 柄;若按照腐蚀2 inch的操作手法腐蚀大尺寸晶片，在初步腐蚀过后会出现以下现象（如图） 。虽然还存在残留金属，但膜厚已明显降低，后续金属被腐蚀的速率将加快。 ;1） 装片数量太多 大尺寸晶片表面金属反应的均匀性很难准确控制，且晶片与晶片之间及晶片不同区域之间化学反应的速率是完全不同的。因此，由于数量太多，无法准确地顾及到每一片晶片具体已经反应到什么样的程度，只能靠主观意识来判断出“大概”，而在这过程中，已经由“无形”的操作失误而造成了异常。根据实际操作经验，最先被腐蚀的晶片是装在花篮两端的部分。（如下图所示）;;2） 各区域金属反应程度各不相同 由于晶片面积相对较大，加上金属反应是由外而内进行的，若按照腐蚀2 inch的操作手法腐蚀大尺寸晶片，则会难以避免地出现不该继续腐蚀的区域继续“强迫”腐蚀，造成“过腐蚀”现象，最终边缘电极缩小严重而中间区域正常。 根据实际操作经验，晶片被腐蚀最快的区域是靠近花篮两侧及底部部分。（如下图所示）;; 为什么会出现以上的现象呢？现在给大家简要说明一下影响腐蚀的相关因素！;1） 溶液浓度 2）溶液温度 3）溶液与被腐蚀物质之间的相对运动， 即通常所说的“腐蚀手法”。;