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一种硅埋置型微波多芯片组件封装的电性能
第 15卷第 2 期 功能材料与器件学报 Vo l15,No2
2009年 4 月 JOURNAL OF FUNCTIONAL MA TER IAL S AND D EV ICES Ap r. , 2009
文章编号 : 1007 - 4252 (2009) 02 - 0 125 - 07
一种硅埋置型微波多芯片组件封装的电性能
戚龙松 ,罗乐
(中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,上海 , 200050)
摘要 :研究了一种基于体硅工艺和 BCB 厚膜布线技术的微波多芯片组件新封装结构 ,将特定组件
中多个微波芯片埋置在接地金属化的硅腔体中 ,通过热压焊金凸点将芯片垂直引出 ,并于其上布置
多层 BCB /Au微波传输线 ,层间互连则连采用电镀金凸点为通柱 。对封装中各微波信号通路的电
学性能、封装环境对芯片电学功能的影响和可集成于封装中的 Ku 波段带通滤波器进行了模拟与
优化研究 。
关键词 :多芯片组件 ;埋置型封装 ;微波传输性能
中图分类号 : O44 1. 4 文献标识码 : A
Perform an ce of a silicon - ba sed em bedded MM CM package
Q I Longsong, LUO L e
( Shanghai In stitu te of M icro system and Inform ation Techno logy, CA S, Shanghai 200050 , Ch ina)
A b stract:A novel embedded p ackage structu re for M icrowave M u ltich ip Modu le (MMCM ) is stud ied,
wh ich is ba sed on M EM S p roce ss and BCB th ick film techno logy. A set of m icrowave ch ip s are embedded
in m etalized silicon cavitie s, and then electrically connected th rough bonded go ld bump s to the upp er
m u ltilayer BCB /Au tran sm ission line s. In terlayer connection is realized by electrop lated go ld p illars. Per
form ance of tran sm ission line s, electric influence to ch ip in troduced by p ackage and Ku - band bandp a ss
filters that can be in tegrated in th is p ackage are sim u lated and op tim ized by H FSS.
Key words:m u ltich ip modu le, embedded p ackage, m icrowave tran sm ission p erform ance
(
0 概述 集成 电路 MH IC, M icrowave Hyb rid In teg
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