基于smic018μmeeprom工艺的标准单元库设计b4pf5md4.doc

西安电子科技大学 硕士研究生学位论文基于ＳｍｌＣ ０．１８ｕｍ ＥＥＰＲＯＮ工艺的标准单元库设计 作者：吴乐顺 导师：庄奕琪教授 学科：微电子学与固体电子学 中国－西安 ２０１３年１月Ｔｈｅ Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｃｅｌｌ Ｌｉｂｒａｒｙ ｂａｓｅｄ ｏｎ Ｔｈｅ ＳＭＩＣ ０．１８ｕｍ ＥＥＰＲＯＭ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ａ Ｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎ Ｓｕｂｍｉｔｔｅｄ ｔｏ Ｘｉｄｉａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｉｎ Ｃａｎｄｉｄａｃｙ ｆｏｒ ｔｈｅ Ｄｅｇｒｅｅ ｏｆ Ｍａｓｔｅｒ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｓｏｌｉｄ．Ｓｔａｔｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｂｙ Ｗｕ Ｌｅｓｈｕｎ Ｘｉ’ａｎ．Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ Ｊａｎｕａｒｙ，２０１３ 西安电子科技大学 学位论文独创性（或创新性）声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律责任。本人签名：兰．孟！瞳 Ｅｔ期：竺２１：ｌ：ｊ 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内容，可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证，毕业后结合学位论文研究课题再攥写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。 （保密的论文在解密后遵守此规定） 本学位论文属于保密，在一年解密后适用本授权书本人签名： 兰五！：睦 。 导师签名：日 期：型丛：！：三 Ｅｔ 期：三巫！：５ 摘要 摘要 随着集成电路技术的迅猛发展，半导体工艺已从深亚微米迈入了纳米级别，晶体管层次设计的复杂程度也越来越高，系统级集成电路芯片的规模也己从最初的大规模（ＬＳＩ）发展为今天的极大规模（ＧＬＳＩ）。在市场竞争日益激烈的今天，为了适应市场需求，加快芯片的研发脚步，缩短芯片研发周期，降低芯片研发成本，基于标准单元库法的专用集成电路设计技术应运而生。 在基于标准单元库法的专有集成电路设计过程中，从系统行为级的描述、逻?酆系桨嫱嫉淖远季?a name=baidusnap0布线以及时序的验证和后端的门级仿真，都需要有一套内容丰富、功能完整的标准单元库的支持。本文在ＳＭＩＣ ０．１８ｕｒｎ ＥＥＰＲＯＭ深亚微米工艺下对标准单元库的设计流程进行了系统的研究和实践工作并最终确立了一套完整的性能基本满足设计需求的低压低功耗标准单元库，其中单元库所包含的组件有工艺文件、工艺映射文件、综合库、门级仿真模型库、ＬＶＳ校验模型、Ｍｉｌｋｗａｙ版图库、天线效应修复文件和库说明文档。其验证通过的ＥＤＡ开发工具有Ｓｙｎｏｐｓｙｓ的Ｄｅｓｉｇｎ Ｃｏｍｐｉｌｅｒ综合工具、Ａｓｔｒｏ和ＩＣ Ｃｏｍｐｉｌｅｒ布局布线工具、ＶＣＳ仿真工具以及Ｃａｄｅｎｃｅ的ＮＣ－Ｖｅｒｉｌｏｇ仿真工具。关键字：标准单元库单元特征化单元尺寸单元版图 Ａｂｓｔｒａｃｔ ＡｂｓｔｒａｃｔＷｉｔｈ ｔｈｅ ｒａｐｉｄ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｔｅｃｈｎｏ ｌｏｇ）’，ｔｈｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｐｒｏｃｅｓｓｈａｓ ｂｅｅｎ ｉｎｔｏ ｔｈｅ ｎａｎｏｍｅｔｅｒ ｌｅｖｅｌ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｄｅｅｐ ｓｕｂ－ｍｉｃｒｏｎ ｌｅｖｅｌ，ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ－ｌｅｖｅｌｄｅｓｉｇｎ ｉｓ ｂｅｃｏｍｉｎｇ ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｌｙ ｃｏｍｐｌｅｘ ａｎｄ ｔｈｅ ｃｈｉｐ ｓｃａｌｅ ｏｆ ＳＯＣ ｈａｓ ｅｎｔｅｒｅｄ ｔｈｅＧＬＳＩ ｅｒａ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｆｉｒｓｔ ＬＳＩ．Ｉｎ ｔｏｄａｙ’Ｓ ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｌｙ ｃｏｍｐｅｔｉｔｉｖｅ ｍａｒｋｅｔ，ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ｍｅｅｔｔｈｅ ｍａｒｋｅｔ ｄｅｍａｎｄ，ｓｐｅｅｄ ｕｐ ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｐａｃｅ ｏｆ ｔｈｅ ｃｈｉｐ，ｓｈｏｒｔｅｎ ｔｈｅ ｃｈｉｐｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｃｙｃｌｅ ａｎｄ ｒｅｄｕｃｅ ｔｈｅ ｃｏｓｔ ｏｆ ｃｈｉｐ Ｒ＆Ｄ．ＡＳＩＣ ｄｅｓｉｇｎ ｍｅｔｈｏｄ ｂａｓｅｄ ｏｎｓｔａｎｄａｒｄ ｃｅｌｌ ｌｉｂｒａｒｉｅｓ ｃａｍｅ ｉｎｔｏ ｂｅｉｎｇ．Ｔｈｅ ＡＳＩＣ ｄｅｓｉｇｎ ｍｕｓｔ ｇｅｔ ａ