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非易失存储器概论作者：Jitu J.Makwana, Dr.Dieter K.Schroder翻译：GongYi(Infineon Technologies,Memory development center）Email: code631@前言本文论述了基本非易失存储器（NVM）的基本概念。第一部分介绍了NVM的基本情况，包括NVM的背景以及常用的存储器术语。第二部分我将介绍怎样通过热电子注入实现NVM的编程。第三部分包括了用FOWLER-NORDHEIM 隧道效应实现对NVM的擦除。同时，简单的FN隧道效应的原理也将在这里给大家做一个说明。第四部分介绍了用于预测NVM编程特性的模型—热电子注入机制所依赖的“幸运电子”模型。最后一部分介绍了NVM可靠性方面的问题，如数据保持能力（DATA RETENTION）,耐久力（ENDURANCE）,和干扰（DISTURB）。关键字：非易失，存储器，热电子注入，隧道效应，可靠性，数据保持，耐久力，干扰，闪存 第一部分： 介绍存储器大致可分为两大类：易失和非易失。易失存储器在系统关闭时立即失去存储在内的信息；它需要持续的电源供应以维持数据。大部分的随机存储器（RAM）都属于此类。非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据信息。一个非易失存储器（NVM）器件通常也是一个MOS管，拥有一个源极，一个漏极，一个门极另外