高分子分析技术电子第8章元素分析的波谱方法.ppt

本章教学目的和要求 1、掌握XRF法、XPS法和电子探针微区分析的 应用。 2、熟悉XRF法、XPS法和电子探针微区分析的 基本原理。 3、了解XRF法、XPS法和电子探针微区分析的 实验技术。 常用于高分子材料元素分析的波谱方法主要有X射线荧光光谱、X射线光电子能谱和电子探针微区分析。X射线荧光光谱是用X射线轰击样品，测定放出的荧光X射线；X射线光电子能谱是用X射线轰击样品，测定释放的电子能量；而电子探针微区分析是用电子束轰击样品，测定释放的特征X射线。它们与紫外光谱一样是电子光谱，但它们都是电子发射光谱，而紫外光谱是电子吸收光谱。 X射线荧光光谱法是利用样品对x射线的吸收随样品中的成分及其众寡变化而变化来定性或定量测定样品中成分的一种方法。 它具有分析迅速、样品前处理简单、可分析元素范围广、谱线简单，光谱干扰少等优点。 x射线荧光法不仅可以分析块状样品，还可对多层镀膜的各层镀膜分别进行成分和膜厚的分析。 当试样受到x射线，高能粒子束，紫外光等照射时，由于高能粒子或光子与试样原子碰撞，将原子内层电子逐出形成空穴，使原子处于激发态，这种激发态离子寿命很短，当外层电子向内层空穴跃迁时，多余的能量即以x射线的形式放出，并在教外层产生新的空穴和产生新的x射线发射，这样便产生一系列的特征x射线。 当用x射线（一次x射线）做激发原照射试样，使试样中元素产生特征x射线（荧光x射线）时，若元素和实验条件一样，荧光x射线的强度Ii与分析元素的质量百分浓度Ci的关系可以用下式表示： 式中μm是样品对一次x射线和荧光射线的总质量吸收系数，K为常数，与入射线强度I和分析元素对入射线的质量吸收系数有关。 在一定条件下（样品组成均匀，表面光滑平整，元素见无相互激发），荧光x射线强度与分析元素含量之间存在线性关系。根据谱线的强度可以进行定量分析 波长色散型谱仪原理 特征X射线竟准直器准直，投射到分光晶体的表面，按照布拉格定律产生衍射，使不同波长的荧光x射线按波长顺序排列成光谱。这些谱线由检测器在不同的衍射角上检测，转变为脉冲信号，经电路放大，最后由计算机处理输出。 一次x射线发生系统 x射线管产生的x射线由两部分组成：具有连续波长成分的连续x射线和具有靶材料元素特性波长的特征x射线。 连续x射线的产生是由于x射线管内高速运动的电子撞击靶原子后受到阻尼，将部分能量传递给靶材料原子，引起轫致辐射所致。 当x射线管的加速电压提高到某一临界值时，就会在连续波长的某些波长位置出现强度很大的线状光谱。这些线状光谱取决于靶材原子，而与入射电子的能量无关。他反映靶材元素的性质，所以成为特征x射线。 横轴为波长，纵轴为x射线的相对强度 8.1.3 应用 由于测得的荧光X射线的波长和强度与元素所处的化学状态无关，因此该方法只应用于元素的定性和定量分析。 分析薄膜的厚度 X射线荧光光谱法进行厚度定量分析的依据是：厚度为t的薄膜元素的荧光X射线荧光强度与无限厚(实际达到饱和厚度即可)薄膜元素的荧光X射线强度有如下关系： 式中k为与薄膜有关的一个常数。比较荧光光线的强度即可分析出薄膜的厚度。 8.2 X射线光电子能谱 XPS理论首先是由瑞典皇家科学院院士、乌普萨拉大学物理研究所所长 K·Siebahn 教授创立的。 原名为化学分析电子能谱: ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)。 1954年研制成世界上第一台双聚焦磁场式光电子能谱仪。 XPS是一种对固体表面进行定性、定量分析和结构鉴定的实用性很强的表面分析方法。 现今世界上关于XPS的刊物主要有： Journal of Electron Spectroscopy. Related Phenomena. 8.2.1 基本原理 光电子能谱: 反应了原子（或离子）在入射粒子（一般为X-ray）作用下发射出来的电子的能量、强度、角分布等信息。 X-ray: 原子外层电子从L层跃迁到K层产生的射线。 常见的X射线激发源有： Mg :Ka1,2(1254ev,线宽0.7ev ) Al :Ka1,2(1487ev ,线宽0.9ev ) Cu :Ka1,2(8048ev,线宽2.5ev ) Ti :Ka1,2(4511ev,线宽1.4ev ) 电子结合能：由光电过程的Einstein方程： hν=Eb+1/2mv2 ，求出 ：Eb= hν-Ek。 引入Fermi能级后，光电过程的能量关系如图所示： 实际测量时，利用标准样品的基准谱线来校正 被测谱线的结合能，称为内