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40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模 王军 王林 王丹丹 Frequency and bias dependent modeling of induced gate noise and cross-correlation noise in 40 nm metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistors WangJun WangLin WangDan-Dan 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,237102(2016) DOI: 10.7498/aps.65.237102 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.237102 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I23 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 一个非晶InGaZnO薄膜晶体管线性区陷阱态的提取方法 A technique for extracting the density of states of the linear region in an amorphous InGaZnO thin film transistor 物理学报.2015,64(13): 137101 /10.7498/aps.64.137101 应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型 ChargemodelofstrainedSiNMOSFET 物理学报.2014,63(1): 017101 /10.7498/aps.63.017101 应变SiNMOSFET漏电流解析模型 AnalyticalmodelingfordraincurrentofstrainedSiNMOSFET 物理学报.2013,62(23): 237103 /10.7498/aps.62.237103 应变SiGep 型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究 Studyongatecapacitance-voltagecharacteristicsofstrained-SiGe pMOSFET 物理学报.2013,62(12): 127102 /10.7498/aps.62.127102 应变SiNMOSFET 阈值电压集约物理模型 Physicalcompactmodelingforthresholdvoltageofstrained Si NMOSFET 物理学报.2013,62(7): 077103 /10.7498/aps.62.077103 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 23 (2016) 237102 40 nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极 噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模 王军 王林 王丹丹 (西南科技大学信息工程学院, 绵阳 621010) ( 2016 年6 月6 日收到; 2016 年8 月30 日收到修改稿) 用于低功耗、混合信号及高频领域的CMOS 技术的缩比进展, 表明其最佳的高频性能已从低中反区转移 至弱反区. 高频噪声模型是射频与毫米波电路设计的先决条件, 是纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 噪声分析的重要基础. 本文基于40 nm MOSFET 的器件物理结构, 并结合漂移-扩散方程和电荷 守恒定律, 提出了基于物理的高频感应栅极电流噪声模型及其与漏极电流噪声的互相关噪声模型, 以此来统 一表征噪声从弱反区到强反区的频率与偏置依赖性. 本文通过将有效栅极过载引入高频噪声模型中, 使得统 一模型具有良好的准确性、连续性和平滑性. 最后, 通过所建模型的仿真结果与实验结果的数据比较, 验证了 本文所建模型的准确性及其对长沟道器件在强反区的适用性. : 40 nm , , 关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 高频噪声模型 偏置依赖性 PACS: 71.23.An, 72.70