电子技术基础第3章场效应晶体管放大电路.pptxVIP

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2018-09-15 发布于上海
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电子技术基础第3章场效应晶体管放大电路.pptx

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电子技术基础第3章场效应晶体管放大电路

第3章场效应管放大电路;场效应管FET与三极管BJT的区别;3.1、结型场效应管;;3.1.2 JFET特性曲线;3.2、绝缘栅场效应管MOS; 当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道在UDS的作用下形成ID。 ;2.N沟道增强型MOS特性曲线;2). 输出特性曲线;;2. 特性曲线;各类场效应三极管的特性曲线;3.3 场效应管的主要参数;3.4 场效应管放大电路;2、微变等效电路;①电压放大倍数;例3.3.1 用EWB分析图共源结型场效应管基本放大电路的静态工作点和电压放大倍数，并与理论计算相比较。已知gm=0.69mA/V ,IDSS=1mA、UP= -2V。 ;3.4.2 共漏组态基本放大电路;3.4.3 共栅组态基本放大电路 ;双极型和场效应三极管的三种组态基本放大电路的比较