半导体材料光学带隙计算.PDFVIP

半导体材料光学带隙的计算 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带 结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。禁带宽度的大小实际上是反映了 价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。 禁带宽度可以通过电导率法和光谱测试法测得,为了区别用电导率法测得禁 带宽度值，用光谱测试法测得的禁带宽度值又叫作光学带隙。下面以光谱测试法 为例介绍半导体材料光学带隙的计算方法： [1] 对于半导体材料，其光学带隙和吸收系数之间的关系式为 ： αhν=B(hν-Eg)m （1） 其中α 为摩尔吸收系数,h 为普朗克常数，ν 为入射光子频率，B 为比例常数，Eg 为半导体材料的光学带隙，m 的值与半导体材料以及跃迁类型相关： （1） 当m=1/2 时，对应直接带隙半导体允许的偶极跃迁； （2 ） 当m=3/2 时，对应直接带隙半导体禁戒的偶极跃迁； （3 ） 当m=2 时，对应间接带隙半导体允许的跃迁； （4 ） 当m=3 时，对应间接带隙半导体禁戒的跃迁。 下面介绍两种禁带宽度计算公式的推导方法： 推导1：根据朗伯比尔定律可知： A=αb c (2 ) 其中A 为样品吸光度，b 为样品厚度，c 为浓度，其中bc 为一常数，若B =(B/bc)1/m， 1 则公式(1)可为： (Ahν)1/m=B (hν-Eg) (3) 1 根据公式(3),若以hν 值为x 轴，以(Ahν)1/m 值为y 轴作图，当y=0 时，反向延伸 曲线切线与x 轴相交，即可得半导体材料的光学带隙值Eg 。 推导2 ：根据K-M 公式可知： 2 F(R )=(1- R ) /2 R =K/S (4) ∞ ∞ ∞ 其中R∞为绝对反射率(在日常测试中可以用以硫酸钡做参比测得的样品相对反射 率代替[2]) ，K 为吸收系数，S 为散射系数。若假设半导体材料分散完全或者将样 品置于600 入射光持续光照下可认为K=2α[3] 。因在一定温度下样品散射系数为一 常数，假设比例常数为B ，,我们可通过公式(4)和公式(1)可得： 2 (F(R ) hν)1/m=B (hν-Eg) (5) ∞ 2 根据公式(5)，若以hν 值为x 轴，以 (F(R ) hν)1/m 值为 y 轴作图，当y=0 时，反 ∞ 向延伸曲线切线与x 轴相交，即可得半导体材料的光学带隙值Eg 。 推导方法1和推导方法2 分别为通过测量样品吸收光谱和反射光谱值来计算半导 体材料的光学带隙。下面介绍以直接光学带隙半导体材料（m=1/2 ）S1 和S2 为 例，通过推导方法1 计算半导体材料的光学带隙值。首先测得S1 和S2 的紫外 2 吸收光谱，如图1 所示。然后通过吸收光谱做(Ahν) -hν 线性关系图，如图2 所 示。沿曲线做反向切线至y=0 相交，所得值为光学带隙值，由图