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光刻胶段差对光刻图形的影响与改善
第 卷 第 期 液晶与显示
３３ ８
Vol．３３ No．８
ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas
年 月 q y p y
２０１８ ８ Au．２０１８
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文章编号: ( )
１００７Ｇ２７８０２０１８０８Ｇ０６５３Ｇ０８
光刻胶段差对光刻图形的影响与改善
∗
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张玉虎 李亚文 刘小波 马小辉 张 旭
( , )
合肥京东方光电科技有限公司 安徽 合肥 ２３００１２
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摘要 TFT光刻制程中 光刻胶段差使光胶在同一个光刻平面上 各区域的光刻程度不同 严重影响着光刻图形的质量
,
文章从光刻胶段差对光刻图形影响的原因进行分析 根据光强在投影光刻机光刻系统中焦点附近与光刻胶内部的变化
, , ,
特点 推导并计算出光刻胶段差区域内光强变化量为零时 光刻系统中光刻平面所应处于的位置 同时结合当前光刻系
, , . :
统焦平面的位置 计算出光刻平面的调整量 并以该调整量对当前光刻平面进行调整 结果表明 对于极限分辨率为
, , ,
２４１ m的投影光刻机 要使厚 ０．５２ m的光刻胶段差内光强变化量为零 光刻平面调整量为 ９．４３４４２ m 且对光刻平
μ μ μ
, ( ) ,
面调整后 １０ m后 在 DICDDevelo InsectionCriticalDimension变化量较小的情况下 可显著改善沟道长为 ２．５ m
μ p p μ
的 ( )区域的光刻胶残留.
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关 键 词 段差 光刻胶 光刻 光刻面 光强
中图分类号: 文献标识码: : /
TN３０５．７ A doi１０．３７８８YJYX０６５３
Effectofsementdifferenceofhotoresiston
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