ICU测试用运动台系统的设计与研究.pdf

目次 6运动台的性能测试分析……………………………………………………………………55 6．1引言………………………………………………………………………………………………………………55 6．2二维运动平台控制系统测试………………………………………………………．．55 6．2．1二维运动平台运动控制策略介绍………………………………………………55 6．2．2二维运动平台控制系统测试的步骤……………………………………………56 6．3二维运动平台机械性能测试………………………………………………………．．58 6．3．1二维运动平台的振动测试………………………………………………………．58 6．3．2承片台的平面度测试……………………………………………………………6l 6．4本章小结………………………………………………………………………………61 7总结与展望……………………………………………………………………………………………………一…．．63 7．1总结……………………………………………………………………………………63 7．2工作展望……………………………………………………………………………．．64 参考文献……………………………………………………………………………………．65 Ⅸ 绪论 1绪论 1．1湿法光刻技术的发展 1．1．1光刻技术 集成电路(又称为IC，IntegratedCircuit)是采用半导体制作工艺，把一个电路中所 需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小 块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，形成的微型电子器件。它是电子 信息产业的核心技术，基础性与战略性地位突出，其发展不仅对国民经济有着巨大的推 动作用，更是一个国家技术水平和综合国力的重要指标【1】【2】。 自从1958年美国TI公司试制出世界上第一块集成电路起，集成电路的发展便遵 循着著名的摩尔定律(即单块集成电路上的晶体管数目，每隔18个月翻一番，性能也 将提升一倍)，已经历过小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成 【31。在半导体产业中，常以集成电路制造中使用的可应用关键尺寸(CD。也最小特征 尺寸)作为行业发展的技术节点【3I。集成电路集成度不断提高，主要利益于集成电路的 关键尺寸的不断减小，目前，集成电路制造的技术节点已经发展到了32nm，如Intel 最新的Corei系列CPU就是使用基于32nm制程工艺的产品。 成电路1这四种典型集成电路的发展趋势Nt4j(图1．1、图1．2)知，集成电路制造将会 在2015年突破16nm技术节点。 集成电路制造主要包括五大制造阶段：硅片制备、硅片制造、硅片测试与拣选、装 配与封装、终测口l。而因为硅片制造阶段的光刻工艺直接决定了集成电路的关键尺寸， 所以通常被认为是大规模集成电路制造中的最关键工艺。光刻是指通过曝光的方法将掩 模上的图形转移到涂覆于硅片毫面的光刻胶上，然后通过显影、刻蚀等工艺将图形转移 到硅片上【5】。 光刻机所能达到的最小刻蚀线宽受瑞利公式(也称为分辨率公式)的制约[61，如公 式(1．1)所示，它定义了光学系统能够达到的理论最小分辨率。 RES：坠 (1．1) 浙江大学硕士学位论文 REs——分洪率(Resolution) A——曝光光源的波长 M——物镜的数值孔径 毛——与光刻工艺条件和波前工程技术有关的工艺因子 201ITRS Flash％Pilch(nm)《un-contactedPoly)- 3-