华梵大学机电工程学系专题研究成果报告乾式蚀刻机制之研究.pdf

103 華梵大學機電工程學系專題研究成果報告 乾式蝕刻機制之研究 指導教授：黃忠仁教授 參與學生： B0002052 葉紘志 一、中文摘要 由於使用矽晶圓能和目前的半 本專題研究主旨在於反應式離子蝕刻 導體技術相容、可直接在微機電元 之研究。本研究主要之研究項目可分為： 件旁設計控制電路，加上矽的機械 (I)黃光微影製程(II)使用反應式離子蝕 性質及半導體性質均符合需求，並 刻進行蝕刻，探討其製程與參數。 且材料取得容易，因此大多數人都 在製作方面，流道相關幾何形狀是由 喜歡使用矽晶圓來作為微機電系統 老師提供，本專題則是運用黃光微影製程 的材料。 將圖案轉移到晶圓上，主要使用厚膜光阻 在蝕刻的技術上，可以分為濕 AZP4620作為微流道結構，黃光微影製程 式蝕刻及乾式蝕刻兩種，雖然濕式 將設計之流道圖案製作在矽晶圓上，完成 蝕刻擁有較高的選擇性，在做非等 後，將晶圓放入反應式離子蝕刻機進行蝕 向性蝕刻時，也可以得到較佳的表 刻結束後觀察其表面剖面圖。 面平坦度，但因受限於單晶矽晶圓 二、前言 的晶格方向限制，使得結構的形狀 微機電系統 ( Microeletromechanical 會大受限制，通常所設計的微機電 s y s t e m ，簡稱MEMS) 是利用半導體製 結構需要垂直的平面結構，濕式蝕 程，來製造與整合機械及電子元件，以達 刻並不容易得到準直的結構。目前 到系統微小化 ( miniaturization)目的。因 有愈來愈多元件朝高深寬比結構發 MEMS 技術具有高精度、小尺寸及批量製 展，而使用乾式蝕刻則在這方面 造等優點，而且所使用的製程、設備及材 有極佳的效果。 料 (silicon base)均已在半導體工業中發展 成熟。 三、研究目的 因微機電系統技術是以半導體工業相 近幾年來，半導體產品趨勢走 關技術為基礎發展而來，因此薄膜結構的 向高性能化、高處理速度、高穩定 製造與應用技術已相當成熟，但由於半導 性以及輕薄化的方向發展。在輕薄 體技術主要偏重在薄膜特性的研究上，而 化的發展下 ， 使得蝕刻技術越 來 微機電系統則較重視 3 D 立體結構的製造 越被重視 ，蝕刻被廣泛的應用 ，因此和半導體製程相比，多了不少重要 在儀器鑲板 、名牌以及傳統無 的參數需要考慮，如：深寬比、懸浮結構 法加工之薄件等上。 、結構外形、元件活動空間⋯⋯等，以現 本實驗研究目的主要在於使用 有的薄膜技術並不能完全支援，許多參數 黃光微影製程，將光罩的圖案轉移 需要靠更新的蝕刻技術來達成要求。 到晶圓上，並使用反應式離子蝕刻 機蝕刻觀察察其蝕刻之之效果 。 四 、研究方法法 中心點加入中 入以確保能均均勻塗佈) 。 本實驗所使使用的儀器器為旋轉塗佈佈機 、 光阻光 的厚度度與旋轉 塗佈佈時的轉速速 雙面面曝光機 、反應式離子子蝕刻機 。在黃光