第1章电力电子器件1(精).pptVIP

齐纳击穿和雪崩击穿 PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，实际上掺杂浓度决定了击穿类型。 一般两种击穿同时存在，但在电压低于5－6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5－6V时的击穿以雪崩击穿为主，这是由PN结的内部结构决定的。 能不能恢复只是看PN是不是被物理地烧坏，与产生击穿的机制是无关的！ 雪崩击穿(Avalanche Multiplication) 材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强，这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子和空穴将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子-空穴对。新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子空穴对。如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大，所以这种碰撞电离称为雪崩击穿.也称为电子雪崩现象。 * 1.4.3 电力场效应晶体管 电力MOSFET的工作原理 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过 ■ 绝缘栅 反型层P---N 漏极 源极 栅极