传输线脉冲产生系统简介.PDFVIP

傳輸線脈衝產生系統簡介 (Introduction of Transmission Line Pulse System) 一、歷史發展 積體電路之靜電放電 (Electrostatic Discharge, ESD) 防護設計是系統單晶片在 穩定量產過程中必須克服的重要技術瓶頸之一 ，而半導體元件在受靜電放電轟擊 瞬間之電性行為，是設計靜電放電防護電路所需要之重要參數 。然而要能夠精確 地觀測該瞬間之元件電性 並獲得設計參數是項技術難題，因此發展 出傳輸線脈衝 產生系統(Transmission Line Pulse System, TLP) ，其雛型架構最先由 Intel 公司於 1985 年首度發表，在經過多家公司之改良 與發展後，現已成為靜電放電研究之 重要量測儀器。 柯明道教授的研究群係台灣最早、也是唯一自行成功組裝過輸線脈衝產生系 統量測設備的團隊，並曾技術移轉到工研院系統晶片技術發展中心 (現已併入工 研院資通所 )該改良版之傳， 輸線脈衝產生系統 並已 獲得美國專利(US 7138804) 、 日本專利 (JP 4194969) 、台灣發明專利(I 243912) 、以及中國大陸專利(ZL 2004 1 0062870.8)，該改良版之傳輸線脈衝產生系統 並於2009 年獲得國家實驗研究院儀 器科技研究中心之「儀器科技創新獎」。在 2010 年12月，日本阪和電子工業株 式會社(HANWA Electronic Ind. Co. Ltd.)特別捐贈專業測試用之傳輸線脈衝產生 系統儀器設備予交通大 學柯明道教授，儀器設備編號: HED T-5000 ，並在 2014 年6月加裝改善模組，本儀器設備目前能夠提供 100 、200 、500 、1000 奈秒(ns) 等不同寬度之脈衝波型，瞬間放電電流可高達 25 安培。 二、TLP System (HANWA HED T-5000) 傳輸線脈衝產生系統可產生單一、且不斷升高能量的脈衝，其所產生的脈衝 寬度為奈秒 (ns) 等級，高電流為安培(A) 等級，以模擬靜電放電發生時，短時間內 高能量電流脈衝注入待測元件的情況，並量測待測元件的電壓電流特性曲線及其 脈衝流過後所導致的漏電流，如此能獲得靜電放電防護元件的電性 參數，也輔助 驗證 人體放電模式(Human Body Model, HBM)和機械放電模式(Machine Model, MM的) ESD 耐受電壓，傳輸線脈衝產生 系統有一示波器用來記錄打入元件的入 射波與反射波及其電壓電流值 ，可呈現靜電放電防護元件的導通狀態 ，也可顯示 元件驟回崩潰 (snapback)特性及漏電流。HED T-5000的儀器設備規格如 表一所 示，TLP儀器設備如圖一(a)所示， 100 奈秒的脈衝電壓電流波型如圖一(b) 。藉由 TLP 系統量測的電壓電流曲線可以得到觸發電壓 (trigger voltage, Vt1) 、持有電壓 (holding voltage, V ) 、失效電流(failure current, I ) 及漏電流(leakage current) 等電 h t2 性參數 ，如圖一(c所示。) 觸發電壓 V 是紀錄元件瞬間 進入驟回崩潰 (snapback區域) 的觸發點 ，靜電放 t1 電防護元件的觸發電壓 (trigger voltage, Vt1) 必須要低於內部電路的崩潰電壓 (VBD,internal) ，才能使靜電保護元件在內部電路尚未因靜電轟擊而受損之前啟動。 而持有電壓V 是 元件進入驟回崩潰後的最低電壓值，此值 必須要高於電路 系統 h 之操作電壓(operation voltage, VDD) ，才能防止閂鎖效應 (latch-up)的發生，使靜電 放電防護電路不因 雜訊干擾而誤觸發(Mistriggered) ，造成電訊號被箝制進而導致 電路功能故障 。最後，當量測的漏電流大量增加時，則可觀測得到 失效電流It2