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背散射电子衍射EBSD 背散射电子 当电子束照射样品时，入射电子在样品内遭到衍射时，会改变方向，甚至损失一部分能量（在非弹性散射的情况下）。在这种弹性和非弹性散射的过程中，有些入射电子累积散射角超过90度，并将重新从样品表面逸出。那么背散射电子就是由样品反射出来的初次电子 背散射电子特点 能量很高，有相当部分接近入射电子能量 E 0 ，在试样中产生的范围大，像的分辨率低。 背散射电子衍射原理 在扫描电子显微镜（SEM）中，入射于样品上的电子束与样品作用产生几种不同效应，其中之一就是在每一个晶体或晶粒内规则排列的晶格面上产生衍射。从所有原子面上产生的衍射组成“衍射花样”，这可被看成是一张晶体中原子面间的角度关系图。 衍射花样 衍射花样包含晶系（立方、六方等）对称性的信息，而且，晶面和晶带轴间的夹角与晶系种类和晶体的晶格参数相对应，这些数据可用于EBSD相鉴定。对于已知相，则花样的取向与晶体的取向直接对应。 EBSD系统组成 一台扫描电子显微镜 EBSD系统 CCD摄像仪 花样平均化和扣除背底的图象处理系统 电子背散射衍射（EBSD）的应用 织构和取向差分析 晶粒尺寸及形状分布分析 晶界、亚晶及孪晶界性质分析 应变和再结晶的分析 相签定及相比计算 EBSD与其他衍射技术的比较 X射线衍射，中子衍射不能进行点衍射分析 电子通道花样（SAC）已被EBSD取代 透射电子显微镜（TEM）中的微衍射（MD） 需要严格的样品制备，且不可能进行自动快速测量。 总结 EBSD是可以做快速而准确的晶体取向测量的强有力的分析工具。EBSD的主要应用是取向和取向差异的测量、微织构分析、相鉴定、应变和真实晶粒尺寸的测量。 　 * * 单晶硅的EBSD *