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超结理论产生与发展及其对高压MOSFET器件设计影响 　　摘要：对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM器件为例，介绍了超结器件的工作原理、存在的缺点以及提出的改进方法；并对其他基于超结理论的器件进行了简单介绍。 　　关键词：超结器件；功率半导体器件；COOLMOSTM；导通电阻；击穿电压 　　 　　The Development and Application of Superjunction Theory 　　 　　TIAN Bo, CHENG Xu, KANG Bao-wei 　　（Laboratory of Power Semiconductor Devices and ICs, 　　Beijing University of Technology, Beijing,100022, China） 　　Abstract:The generation of superjunction theory and its development are introduced. With COOLMOSTM device as an example, the operational principle of superjunction devices based on superjunction theory is discussed, along with its shortcomings and techniques for improvement. Finally, other applications of the superjunction theory are described in brief. 　　Key words:Superjunction device; Power semiconductor device; COOLMOSTM ; On-resistance; Breakdown voltage 　　EEACC:2560P 　　 　　1引 言 　　 　　 　　功率半导体器件是不断发展的功率-电子系统的内在驱动力。尤其是在节约能源、动态控制、噪音减少等方面。功率半导体主要应用于对能源与负载之间的能量进行控制，并且应当拥有精度高、速度快和功耗低的特点。IC技术近十年的高速发展,推动着功率半导体器件结构和性能的不断完善。为满足对能量的合理使用，在过去的二十年里，功率器件取得了飞跃式的发展。尤其是功率MOSFET，自从20世纪70年代问世以来，以其优越的电特性（输入阻抗高、关断时间短等）在许多应用领域取代了传统的双极型晶体管。在功率电路中，功率MOSFET主要用作开关器件，由于它是多子器件，所以其开关功耗相对较小。而它的通态功耗则比较高，要降低通态功耗，就必须减小导通电阻RON。因此，功率MOSFET要进一步发展，就必须有效地降低导通电阻。在保证击穿电压VB的前提下，为了获得较大的导通电流，传统的功率MOSFET通常设计成纵向双扩散结构（见图1）。这种结构利用多晶硅的边缘作为掩膜来实现双扩散，形成p+区和n+源区。击穿电压主要体现在p+区与漂移层（即n＝外延层）形成的PN结上。因此，要获得高击穿电压，必须使漂移层有较大的厚度和较低的掺杂浓度。然而，随着击穿电压的增加和漂移层掺杂浓度的不断降低，厚度不断地增加，使作为电流通路的漂移层电阻升高，从而导致导通电阻的增加，使得通态功耗提高。 　　由于击穿电压与导通电阻这种矛盾的存在，1980年代末期，高压功率MOS管（400~1 000 V）的发展到达一个瓶颈。研究表明，对于理想N沟功率MOS（即RON只考虑漂移层电阻RD），导通电阻与击穿电压之间的关系为[2]： 　　Ron=5.93×10-9VB2.5 （1） 　　导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限――称之为“硅限”（Silicon limit），而无法再降低。为了突破这一极限，许多新结构器件不断涌现，其中，IGBT器件[3]就是其中比较成功的一种。在导通状态时，由于大量少子的注入，漂移层的载流子浓度要比原始掺杂浓度高出几个量级，即发生了电导调制作用，使得漂移层电阻显著降低。但是，当器件关断的时候，大量的过剩载流子必须清除出漂移层。这需要较多的时间，也就造成了IGBT器件较差的关断特性――拖尾电流。 　　20世纪80年代末90年代初，一种新概念的提出打破了“硅限”，它可以同时得到低通态功耗和高开关速度。这一概念经过演化和完善之后，得到了“超结理论”（Superjunction Theory）[4]。应用超结理论的典型产品是1998年德国西门子的英飞凌（Infineon）公司推出的COOLMOSTM器件。当时推出的COOLMOSTM产品的革命