低能离子散射分技术.pptVIP

低效离子散射技术分析 主要介绍 发展历程 应用 分析原理以及入射离子选取 低能离子束散射谱ISS 定义：用一定能量和种类（原子种类和带电量）的低能离子束撞击表面，分析经过与表面作用后反射回来的原离子束，分析其能量的变化，这种能量的变化包含了表面的一部分信息 60年代初 ，荷兰物理学家基斯特马克（J.Kistermaker）发现离子诱导辐射现象 1973年开始离子束表面散射的研究 与二次离子质谱一起成为表面分析的有效工具 应用 1清洁表面结构分析 2表面组态分析 3材料纯度分析 4用于监视对半导体材料的元素扩散、注入或催化表面的污染 5用离子束分析薄膜的污染和组成，薄膜结构以及薄膜界面的研究，特别是用于薄膜太阳电池的研究 6用于研究催化剂或其他表面 7研究表面的结构、吸附与电性能（如电子发射）之间的关系 与二次离子质谱的异同 相同点：都使用一定种类和能量的离子束入射到表面 入射离子能量范围：20ev~10kev(ISS),kev级（SIMS） 研究对象：经过与表面作用后反射回来的原离子束，并且分析其能量（ISS） 被入射离子束电离了的、从表面层发射出来的新离子，并分析其质量（SIMS） 各种表面分析方法的分析深度 ISS只能分析第一层表面原子 二次离子质谱SIMS分析深度大约为10?