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ESD technology .tw/~mdker/ESD/index.html 第一章 簡介 (Introduction) 在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程的演進，元件的尺寸已縮減到深次 微米(deep-submicron)階段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每顆晶片的製 造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier) 問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain) 與源極(source) 的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd ，而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg ， 而發展出 Polycide 製程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發展出 所謂 Salicide 製程。 在 1.0 微米(含) 以下的先進製程都使用上述幾種重要的製程技術，以提昇積體電路的運 算速度及可靠度。CMOS 製程技術的演進如表